ХИ́МИЯ ПОЛУПРОВОДНИКО́В
-
Рубрика: Химия
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ХИ́МИЯ ПОЛУПРОВОДНИКО́В, раздел физич. химии, посвящённый изучению взаимосвязи между химич. составом, пространственной структурой и свойствами полупроводников, а также разработке методов синтеза новых полупроводниковых материалов с заданными функциональными свойствами. Х. п. связана с физикой и химией твёрдого тела, кристаллохимией, физико-химической механикой, является основой технологии полупроводниковых и композиционных материалов. Как самостоят. наука сформировалась в сер. 20 в. в связи развитием полупроводниковой электроники.
Для ПП характерна сильная зависимость электропроводности от внешних воздействий (темп-ры, излучения, электрич. и магнитных полей, гидростатич. давления и пр.). Эта зависимость, в свою очередь, обусловлена важнейшими характеристиками ПП: природой частиц, образующих вещество (химич. состав); особенностями химич. взаимодействия частиц; порядком размещения частиц в пространстве.
По химич. составу ПП подразделяют на простые и сложные. Среди простых веществ полупроводниковыми свойствами обладают 13 химич. элементов, важнейшие из которых – германий и кремний. К сложным ПП относят двух-, трёх- и многокомпонентные неорганич. соединения. Сложные ПП классифицируют по номерам групп короткой формы периодич. системы, к которым принадлежат входящие в их состав элементы. Хорошо изучены соединения AIIIBV (GaN, GaAs, InSb и др.), халькогениды AIIBVI (ZnS, CdTe и др.) и AIVBVI (PbS, SnTe), оксиды переходных металлов. Важнейший бинарный ПП – кремния карбид. Электронными и кристаллохимич. аналогами бинарных соединений AIIIBV являются тройные ПП типа AIIBIV. Существуют также сложные органич. ПП (некоторые ароматич. соединения, ряд полимеров и др.), в которых имеются сопряжённые химич. связи, т. е. общие электроны в одномерной зоне проводимости.
На свойства ПП существенно влияют разл. дефекты структуры – вакансии, междоузельные атомы, атомы одного компонента на месте другого, дислокации, дефекты упаковки и т. д. Для изменения свойств проводят легирование полупроводников. Методы управления составом, а следовательно, и свойствами ПП включают контроль не только нестехиометрии и содержания примесей, но и обусловленных ими типа и концентрации дефектов. Синтез и обработка ПП проводятся в «чистых» специализир. помещениях с использованием глубокого вакуума, высоких давлений и разнообразных тепловых, барических, радиационных и пр. методов воздействия. Состав ПП с высокой точностью контролируют на основе данных диаграмм состав – свойство соответствующих систем.
Теоретич. основы физич. химии твёрдых фаз с дефектами, имеющие большое значение для разработки методов синтеза ПП, заложены в работах Я. И. Френкеля (1926, СССР), В. Шоттки и К. Вагнера (1930, оба – Германия), Ф. Крёгера (1956, Нидерланды), которые установили зависимость реакционной способности твёрдых фаз от типа и концентрации дефектов.
Важнейшая характеристика ПП – распределение электронной плотности между частицами. Тип химич. связи (ковалентный, ионный, металлический) определяет энергию кристаллич. решётки, ширину запрещённой зоны, физич. и химич. свойства ПП. Квантовая химия позволяет объяснить и предсказать осн. характеристики ПП – ширину запрещённой зоны, эффективные массы носителей и т. д.
По структуре – упорядоченному размещению в пространстве образующих вещество частиц – ПП подразделяют на кристаллич. и некристаллические (аморфные и стеклообразные полупроводники, жидкие полупроводники). Типичные представители некристаллич. ПП – стеклообразные халькогениды (напр., As2Se3, As2Te3), оксидные материалы типа V2O5 – P2O5 – ROx (R – металл I–IV групп), характеризующиеся широким диапазоном значений электропроводности, низкими темп-рами размягчения, устойчивостью к кислотам и щелочам. Др. важный некристаллич. ПП – аморфный гидрированный кремний α-Si:H. Управление структурой – важнейшая задача Х. п., осуществляемая с помощью регулирования состава, темп-ры, давления, а также кинетики процессов синтеза.
В 21 в. возникло новое направление Х. п. – разработка методов синтеза и использования полупроводниковых наноструктур. Полупроводниковые наночастицы используют для создания лазеров, возобновляеых источников энергии, биосенсоров, фотоприёмников и др. полупроводниковых приборов. Наночастицы ПП получают диспергированием компактных материалов (термич. испарение, осаждение из атомных или молекулярных пучков и т. д.) или химич. сборкой (осаждением из растворов с задержкой роста зародышей на стадии наноразмеров, используя метод капсулирования, поверхностно активные вещества и т. д.). Новую область в Х. п. открывает послойный синтез (GaN, GaAs и т. д.) из атомных пучков с прецизионно регулируемым составом, а также выращивание эпитаксиальных слоёв широкозонных ПП (SiC, GaN, AlN, ZnO) с помощью гетерогенных химич. реакций.