ПОЛУПРОВОДНИКО́ВЫЕ ПРИБО́РЫ

ПОЛУПРОВОДНИКО́ВЫЕ ПРИБО́РЫ, элек­трон­ные при­бо­ры, дей­ст­вие ко­то­рых ос­но­ва­но на элек­трон­ных про­цес­сах в по­лу­про­вод­ни­ках. В элек­тро­ни­ке П. п. ис­поль­зу­ют­ся в уст­рой­ст­вах для об­ра­бот­ки элек­трич. сиг­на­лов, а так­же для пре­об­ра­зо­ва­ния од­них ви­дов энер­гии в дру­гие. П. п. раз­де­ля­ют на два боль­ших клас­са: дис­крет­ные П. п., кон­ст­рук­тив­но оформ­лен­ные в ви­де отд. са­мо­сто­ят. уст­ройств, и ин­те­граль­ные П. п. – ак­тив­ные эле­мен­ты ин­те­граль­ных схем (пре­им. по­ле­вые тран­зи­сто­ры со струк­ту­рой ме­талл–ок­сид–по­лу­про­вод­ник, или МОП-тран­зи­сто­ры, и би­по­ляр­ные тран­зи­сто­ры).

Дис­крет­ные П. п. раз­ли­ча­ют по на­зна­че­нию, прин­ци­пу дей­ст­вия, ти­пу осн. ПП ма­те­риа­ла, кон­ст­рук­ции и тех­но­ло­гии, ви­ду ха­рак­те­ри­стик, об­лас­тям при­ме­не­ния. К осн. клас­сам та­ких П. п. от­но­сят: элек­тро­пре­об­ра­зо­ва­тель­ные при­бо­ры, слу­жа­щие для пре­об­ра­зо­ва­ния элек­трич. сиг­на­лов (по­лу­про­вод­ни­ко­вые дио­ды, в т. ч. ва­ри­ка­пы, ста­би­ли­тро­ны, Шотт­ки дио­ды; тран­зи­сто­ры, ти­ри­сто­ры и др.); оп­то­элек­трон­ные при­бо­ры, пре­об­ра­зую­щие све­то­вые сиг­на­лы в элек­три­че­ские и на­обо­рот (фо­то­ре­зи­сто­ры, фо­то­дио­ды, фо­то­тран­зи­сто­ры, фо­то­ти­ри­сто­ры, сол­неч­ные эле­мен­ты, по­лу­про­вод­ни­ко­вые ла­зе­ры, све­то­из­лу­чаю­щие дио­ды, при­бо­ры с за­ря­до­вой свя­зью); по­лу­про­вод­ни­ко­вые СВЧ-при­бо­ры (Ган­на дио­ды, тун­нель­ные дио­ды, ла­вин­но-про­лёт­ные дио­ды и др.); по­лу­про­вод­ни­ко­вые де­тек­то­ры ядер­ных из­лу­че­ний; тер­мо­элек­три­че­ские при­бо­ры, пре­об­ра­зую­щие те­п­ло­вую энер­гию в элек­три­че­скую и на­обо­рот (тер­мо­эле­мент, тер­мо­элек­три­че­ский ге­не­ра­тор, тер­мо­ре­зи­стор и т. п.); маг­ни­то­элек­три­че­ские при­бо­ры (напр., Хол­ла пре­об­ра­зо­ва­те­ли); тен­зо­мет­ри­че­ские при­бо­ры, из­ме­няю­щие своё элек­трич. со­про­тив­ле­ние вслед­ст­вие де­фор­ма­ции, вы­зы­вае­мой при­ло­жен­ны­ми к не­му ме­ха­нич. на­пря­же­ния­ми, и др.

В за­ви­си­мо­сти от при­ме­няе­мо­го по­лу­про­вод­ни­ко­во­го ма­те­риа­ла раз­ли­ча­ют гер­ма­ние­вые, крем­ние­вые, ар­се­нид-гал­лие­вые и др. при­бо­ры.

По кон­ст­рук­тив­ным и тех­но­ло­гич. при­зна­кам П. п. раз­де­ля­ют на то­чеч­ные и пло­ско­ст­ные; по­след­ние, в свою оче­редь, де­лят на сплав­ные, диф­фу­зи­он­ные, ме­за­пла­нар­ные, пла­нар­ные, эпи­пла­нар­ные и т. п. В ос­но­ве тех­но­ло­гии боль­шей час­ти П. п. ле­жат та­кие осн. про­цес­сы, как за­щи­та по­верх­но­сти ПП тон­кой плён­кой ди­элек­три­ка, фо­то­ли­то­гра­фия, диф­фу­зия при­ме­сей и ион­ное ле­ги­ро­ва­ние, на­не­се­ние тон­ких плё­нок. П. п. вы­пус­ка­ют в ме­тал­ло­ке­ра­мич. или пла­ст­мас­со­вых кор­пу­сах, за­щи­щаю­щих при­бо­ры от внеш­них воз­дей­ст­вий (ис­клю­че­ние со­став­ля­ют бес­кор­пус­ные ПП при­бо­ры).

Ма­лые га­ба­рит­ные раз­ме­ры, мас­са и по­треб­ляе­мая мощ­ность, вы­со­кая на­дёж­ность и ме­ха­нич. проч­ность спо­соб­ст­во­ва­ли рас­про­стра­не­нию П. п. и бы­ст­ро­му раз­ви­тию по­лу­про­вод­ни­ко­вой элек­тро­ни­ки. К нач. 2010-х гг. но­менк­ла­ту­ра П. п., вы­пус­кае­мых пром-стью во всех стра­нах ми­ра, на­счи­ты­ва­ла св. 100 тыс. ти­пов при­бо­ров разл. на­зна­че­ния, ра­бо­таю­щих как на са­мых низ­ких час­то­тах (по­ряд­ка до­лей Гц), так и в мил­ли­мет­ро­вом диа­па­зо­не (до не­сколь­ких ТГц и бо­лее), в диа­па­зо­не ра­бо­чих мощ­но­стей от мкВт до не­сколь­ких кВт.