КРЕ́МНИЙ
-
Рубрика: Химия
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
КРЕ́МНИЙ (лат. Silicium), Si, химич. элемент IV группы короткой формы (14-й группы длинной формы) периодич. системы; ат. н. 14, ат. м. 28,0855. Природный К. состоит из трёх стабильных изотопов: 28Si (92,2297%), 29Si (4,6832%), 30Si (3,0872%). Искусственно получены радиоизотопы с массовыми числами 22–42.
Историческая справка
Широко распространённые на земле соединения К. использовались человеком с каменного века; напр., с глубокой древности до железного века кремень применяли для выделки каменных орудий труда. Переработка соединений К. – изготовление стекла – началась в 4-м тыс. до н. э. в Древнем Египте. Элементарный К. получен в 1824–25 Й. Берцелиусом при восстановлении фторида SiF4 металлич. калием. Новому элементу было дано назв. «силиций» (от лат. silex – кремень; рус. назв. «кремний», введённое в 1834 Г. И. Гессом, также происходит от слова «кремень»).
Распространённость в природе
По распространённости в земной коре К. – второй химич. элемент (после кислорода): содержание К. в литосфере составляет 29,5% по массе. В свободном состоянии в природе не встречается. Важнейшие минералы, содержащие К., – алюмосиликаты и силикаты природные (амфиболы природные, полевые шпаты, слюды и др.), а также кремнезёма минералы (кварц и др. полиморфные модификации кремния диоксида).
Свойства
Конфигурация внешней электронной оболочки атома К. 3s23p2. В соединениях проявляет степень окисления +4, редко +1, +2, +3, –4; электроотрицательность по Полингу 1,90, потенциалы ионизации Si0→Si+→Si2+→ → Si3+→ Si4+ соответственно равны 8,15, 16,34, 33,46 и 45,13 эВ; атомный радиус 110 пм, радиус иона Si4+ 40 пм (координац. число 4), 54 пм (координац. число 6).
К. – тёмно-серое твёрдое хрупкое кристаллич. вещество с металлич. блеском. Кристаллич. решётка кубическая гранецентрированная; $t$пл 1414 °C, $t$кип 2900 °C, плотность 2330 кг/м3 (при 25 °C). Теплоёмкость 20,1 Дж/(моль6 К), теплопроводность 95,5 Вт/(м·К), диэлектрич. проницаемость 12; твёрдость по Моосу 7. При обычных условиях К. – хрупкий материал; заметная пластич. деформация наблюдается при темп-рах выше 800 °C. К. прозрачен для ИК-излучения с длиной волны больше 1 мкм (коэф. преломления 3,45 при длине волны 2–10 мкм). Диамагнитен (магнитная восприимчивость –3,9·10–6). К. – полупроводник, ширина запрещённой зоны 1,21 эВ (0 К); удельное электрич. сопротивление 2,3·103 Ом·м (при 25 °C), подвижность электронов 0,135–0,145, дырок – 0,048–0,050 м2/(В·с). Электрич. свойства К. очень сильно зависят от наличия примесей. Для получения монокристаллов К. с проводимостью р-типа используют легирующие добавки B, Al, Ga, In (акцепторные примеси), с проводимостью n-типа – P, As, Sb, Bi (донорные примеси).
К. на воздухе покрывается оксидной плёнкой, поэтому при низких темп-рах химически инертен; при нагревании выше 400 °C взаимодействует с кислородом (образуются оксид SiO и диоксид SiO2), галогенами (кремния галогениды), азотом (кремния нитрид Si3N4), углеродом (кремния карбид SiC) и др. Соединения К. с водородом – силаны – получают косвенным путём. К. взаимодействует с металлами с образованием силицидов.
Мелкодисперсный К. – восстановитель: при нагревании взаимодействует с парáми воды с выделением водорода, восстанавливает оксиды металлов до свободных металлов. Кислоты-неокислители пассивируют К. вследствие образования на его поверхности нерастворимой в кислотах оксидной плёнки. К. растворяется в смеси концентрир. HNO3 с HF, при этом образуется кремнефтороводородная кислота: 3Si+4HNO3+18HF=3H2[SiF6]+4NO+8H2О. К. (особенно мелкодисперсный) взаимодействует со щелочами с выделением водорода, напр.: Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2. К. образует разл. кремнийорганические соединения.
Биологическая роль
К. относится к микроэлементам. Суточная потребность человека в К. 20–50 мг (элемент необходим для правильного роста костей и соединительных тканей). В организм человека К. попадает с пищей, а также с вдыхаемым воздухом в виде пылеобразного SiO2. При длительном вдыхании пыли, содержащей свободный SiO2, возникает силикоз.
Получение
К. технич. чистоты (95–98%) получают восстановлением SiO2 углеродом или металлами. Высокочистый поликристаллич. К. получают восстановлением SiCl4 или SiHCl3 водородом при темп-ре 1000–1100 °С, термич. разложением SiI4 или SiH4; монокристаллич. К. высокой чистоты – зонной плавкой или по методу Чохральского. Объём мирового произ-ва К. ок. 1600 тыс. т/год (2003).
Применение
К. – осн. материал микроэлектроники и полупроводниковых приборов; используется при изготовлении стёкол, прозрачных для ИК-излучения. К. является компонентом сплавов железа и цветных металлов (в малых концентрациях К. повышает коррозионную стойкость и механич. прочность сплавов, улучшает их литейные свойства; в больших концентрациях может вызвать хрупкость); наибольшее значение имеют железные, медные и алюминиевые кремнийсодержащие сплавы. К. применяют в качестве исходного вещества для получения кремнийорганич. соединений и силицидов.