СВЕТОИЗЛУЧА́ЮЩИЙ ДИО́Д
-
Рубрика: Технологии и техника
-
Скопировать библиографическую ссылку:
СВЕТОИЗЛУЧА́ЮЩИЙ ДИО́Д (светодиод), полупроводниковый диод, в котором при прохождении электрич. тока генерируется оптическое излучение. Действие С. д. основано на явлении инжекционной электролюминесценции; излучение возникает в результате спонтанной рекомбинации неосновных носителей зарядов (электронов проводимости и дырок), инжектированных под действием приложенного напряжения в область полупроводника, прилегающую к p–n-переходу или контакту металл – полупроводник. Такое излучение некогерентно, однако, в отличие от тепловых источников света, имеет более узкий спектр (ширина спектра обычно не превышает 0,05 мкм), вследствие чего в видимой области воспринимается как одноцветное. Цвет излучения определяется как используемым ПП материалом, так и легирующими примесями.
По способу инжекции неравновесных носителей заряда различают С. д. с прямо смещённым p–n-переходом (наиболее распространены), обратно смещённым p–n-переходом в режиме лавинного пробоя, а также диоды с барьером Шоттки. Применяются две конструкции С. д. – плоская (ПП кристалл имеет форму пластинки) и полусферическая (ПП кристалл выполнен в виде полусферы).
Явление инжекционной электролюминесценции впервые наблюдалось в диоде на основе SiC О. В. Лосевым в 1923. Первоначально (1950–70-е гг.) для пром. изготовления С. д. чаще всего использовались SiC, соединения типа АIIIВV (напр., GaAs, GaP) и их твёрдые растворы (GaAs1–xPx, AlxGa1–xAs, Ga1–xInxP); в качестве легирующих примесей – в GaP – цинк и кислород (С. д. красного цвета) или азот (С. д. зелёного цвета), в GaAs – кремний либо цинк и теллур (С. д. ИК-излучения). Эти С. д. (световая отдача ок. 0,2 лм/Вт) в осн. применялись в разл. аппаратуре в качестве индикаторов.
Начало новой эры в произ-ве и применении С. д. относится к 1980–90-м гг., когда были получены двойные гетероструктуры – на основе GaAlAs, AlInGaAs, AlGaInP, позволившие резко повысить (в 102 и более) эффективность преобразования электрич. энергии в излучение и существенно улучшить излучат. характеристики, а также разработаны светодиоды синего свечения (ок. 470 нм) на основе нитрида галлия (GaN) и его твёрдых растворов (InGaN, AlGaN), с появлением которых стало возможным создание приборов с белым излучением и их применение в качестве источников света (в т. ч. для освещения). Белый свет в С. д. получают либо с помощью люминофоров, преобразующих коротковолновое излучение в более длинноволновое (аналогично люминесцентным лампам), либо аддитивным смешиванием излучений красного, зелёного и синего цвета. Лучшей цветопередачи при более высокой световой отдаче достигают при использовании трёх цветных люминофоров.
Совр. С. д. излучают во всей видимой, а также в УФ- и ИК-областях спектра. ПП материалы с разл. типами проводимости и разной шириной запрещённой зоны получают, как правило, методом эпитаксиального наращивания (см. Эпитаксия) на подложках из сапфира (Al2О3), карбида кремния (SiC), арсенида или фосфида галлия (GaAs, GaP). Осн. параметры С. д.: кпд преобразования электрич. энергии в энергию излучения (η) составляет от единиц до десятков %; инерционность (характеризуется постоянными времени нарастания и спада мощности излучения) обычно не превышает долей мкс; яркость излучения достигает 105 кд/м2; световая отдача составляет до 50–130 лм/Вт и более; срок службы – св. 50000 ч (по этому параметру С. д. превосходят все остальные типы источников света). К др. достоинствам, обусловившим широкое внедрение С. д. в светотехнику, относятся: высокая надёжность; малые габаритные размеры; отсутствие необходимости во внешних оптич. элементах (линзах, отражателях и др.); способность работать в широком диапазоне температур (от –55 до +85 °C); экологичность, связанная с отсутствием ртути и др. вредных веществ; электрич. безопасность; простота схем включения и управления. Осн. недостаток С. д. – малая единичная мощность (обычно не превышает нескольких Вт).
К сер. 2000-х гг. мировыми фирмами, в т. ч. российскими, освоено произ-во многокристалльных С. д. (т. н. светодиодных ламп) мощностью до 5–10 Вт; разработаны осветит. приборы и установки, содержащие от десятков до сотен и тысяч С. д. (уличные светильники, прожекторы, автомобильные фары и т. д.). С. д. применяются также для архит.-худож. освещения (декоративная подсветка фонтанов и фасадов зданий), в светосигнальных устройствах (светофоры, дорожные указатели, габаритные огни автомобилей и т. п.), рекламно-информац. табло, панелях и экранах в системах отображения информации, устройствах оптич. связи и др.
Кроме традиционных ПП С. д., получили распространение органич. светодиоды, в которых светоизлучающий слой из органич. материалов, легированных металлами, располагается между двумя тончайшими слоями др. органич. материалов, превращённых с помощью добавок в ПП p- и n-типов. Органич. С. д. имеют яркость до сотен кд/м2, соизмеримый с обычными светодиодами срок службы, но заметно уступают последним по световой отдаче; применяются в осн. для изготовления гибких тонких панелей для дисплеев ноутбуков.
За изобретение и внедрение в массовое произ-во синих светодиодов, давших «свет для 21 в.», япон. учёным Исаму Акасаки и Хироси Амано, а также Сюдзи Накамуре (США) присуждена Нобелевская пр. (2014).