ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕ́НЦИЯ

ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕ́НЦИЯ, лю­ми­нес­цен­ция ве­ществ под дей­ст­ви­ем элек­трич. по­ля и воз­бу­ж­дае­мо­го им элек­трич. то­ка. Э. в га­зах про­ис­хо­дит при воз­бу­ж­де­нии в них элек­трич. раз­ря­да. Так, в лю­ми­нес­цент­ных лам­пах, ими­ти­рую­щих из­лу­че­ние бе­ло­го све­та, УФ-све­че­ние раз­ря­да в па­рáх рту­ти ис­поль­зу­ет­ся для воз­бу­ж­де­ния на­не­сён­ных на внутр. по­верх­ность стек­лян­ной раз­ряд­ной труб­ки лю­ми­но­фо­ров, из­лу­чаю­щих фо­то­ны фо­то­лю­ми­нес­цен­ции.

В твёр­дых ве­ще­ст­вах (обыч­но в по­лу­про­вод­ни­ко­вых кри­стал­лах) на­блю­да­ет­ся Э., осн. ме­ха­низ­мы воз­бу­ж­де­ния ко­то­рой – ин­жек­ци­он­ный и пред­про­бой­ный. Ин­жек­ци­он­ная Э. име­ет ме­сто в об­лас­ти р–n-пе­ре­хо­да в по­лу­про­вод­ни­ках (напр., в SiС или GaP) при про­пус­ка­нии то­ка в пря­мом на­прав­ле­нии. Ток обес­пе­чи­ва­ет ин­жек­цию элек­тро­нов в р-об­ласть и ды­рок в n-об­ласть; ре­ком­би­на­ция элек­тро­нов и ды­рок со­про­во­ж­да­ет­ся ис­пус­ка­ни­ем фо­то­нов Э. На этом прин­ци­пе ра­бо­та­ют све­то­из­лу­чаю­щие дио­ды, при­чём в све­то­дио­дах на ос­но­ве GaN с ис­ход­но си­ним све­че­ни­ем для ими­та­ции бе­ло­го све­та при­ме­ня­ют до­пол­нит. лю­ми­но­фор.

Пред­про­бой­ная Э. осу­ще­ст­в­ля­ет­ся в мик­ро­кри­стал­лах по­лу­про­вод­ни­ков (напр., ZnSe, ле­ги­ро­ван­ный Cu), внед­рён­ных в ди­элек­трич. ком­па­унд, при при­ло­же­нии пе­ре­мен­но­го элек­трич. по­ля, на­пря­жён­ность ко­то­ро­го близ­ка к на­пря­жён­но­сти про­боя по­лу­про­вод­ни­ка. Элек­тро­ны, ус­ко­рен­ные по­лем, по­ро­ж­да­ют в по­лу­про­вод­ни­ке элек­трон­но-ды­роч­ные пá­ры, ре­ком­би­на­ция ко­то­рых со­про­во­ж­да­ет­ся ис­пус­ка­ни­ем фо­то­нов Э. Пред­про­бой­ная Э. ле­жит в ос­но­ве ра­бо­ты пло­ских све­тя­щих­ся гра­фи­че­ских и зна­ко­син­те­зи­рую­щих дис­пле­ев раз­ме­ром до де­сят­ков сан­ти­мет­ров.