НЕ́РНСТА – ЭТТИНГСХА́УЗЕНА ЭФФЕ́КТ
-
Рубрика: Физика
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
Книжная версия:
Электронная версия:
НЕ́РНСТА – ЭТТИНГСХА́УЗЕНА ЭФФЕ́КТ, появление электрич. поля напряжённости E в металле или полупроводнике при наличии градиента темп-ры ∇T в направлении, перпендикулярном напряжённости магнитного поля H. Относится к числу термомагнитных явлений. Открыт В. Нернстом и австр. физиком А. Эттингсхаузеном в 1887. Различают Н. – Э. э. поперечный и продольный.
Поперечный Н. – Э. э. состоит в появлении в металле или полупроводнике электрич. поля E⊥ (разности потенциалов U⊥ ) в направлении, перпендикулярном векторам H и ∇T. Если градиент темп-ры направлен вдоль оси x, а магнитное поле – вдоль оси z, то возникающее электрич. поле параллельно оси y. Поэтому между точками a и b (рис.) возникает разность электрич. потенциалов U⊥. Величину напряжённости электрич. поля E⊥ определяют по формуле E⊥=N⊥Hz(dT/dx), где N⊥ – постоянная Нернста – Эттингсхаузена, которая зависит от свойств образца и может принимать как положительные, так и отрицательные значения.
Причина возникновения поперечного Н. – Э. э. – отклонение потока заряженных частиц Лоренца силой – та же, что и причина возникновения Холла эффекта. Отличие заключается в том, что в первом случае направленный поток частиц возникает в результате их диффузии, а во втором – в результате их дрейфа в электрич. поле. В отличие от постоянной Холла, знак N⊥ не зависит от знака носителей заряда. Действительно, при дрейфе в электрич. поле изменение знака заряда приводит к изменению направления дрейфа, что и даёт изменение знака постоянной Холла. В случае Н. – Э. э. поток диффузии всегда направлен от более нагретого конца образца к менее нагретому, независимо от знака носителей заряда.
Продольный Н. – Э. э. состоит в появлении в металле или полупроводнике электрич. поля E^‖ (разности потенциалов U^‖) между точками c и d вдоль ∇T при наличии магнитного поля H⊥∇T. Т. к. вдоль ∇T существует термоэлектрич. поле E^α=α∇T, где α – коэф. термоэлектрич. поля, то возникновение дополнит. поля вдоль ∇T равносильно изменению поля E^α при наложении магнитного поля: E^\parallel=E^α(H)–E^α(0)=N_\parallelαH^2_z(dT/dx). Магнитное поле, искривляя траектории электронов, уменьшает их длину свободного пробега l в направлении ∇T. Поскольку время свободного пробега (время релаксации τ ) зависит от энергии электронов, то уменьшение l неодинаково для горячих и холодных носителей заряда: оно меньше для тех частиц, для которых τ меньше. Т. о., магнитное поле меняет роль быстрых и медленных носителей заряда в переносе энергии, и термоэлектрич. поле, обеспечивающее отсутствие переноса заряда при переносе энергии, должно измениться.
Поскольку Н. – Э. э. обусловлен зависимостью времени релаксации носителей заряда при взаимодействии с кристаллич. решёткой от их энергии (или скорости), то он чувствителен к механизму рассеяния носителей заряда. Изучение Н. – Э. э. даёт информацию о подвижности носителей заряда и времени их релаксации.