РАССЕ́ЯНИЕ НОСИ́ТЕЛЕЙ ЗАРЯ́ДА

РАССЕ́ЯНИЕ НОСИ́ТЕЛЕЙ ЗАРЯ́ДА в кри­стал­лич. твёр­дых те­лах, про­цесс взаи­мо­дей­ст­вия элек­тро­нов про­во­ди­мо­сти (или ды­рок) с на­ру­ше­ния­ми иде­аль­ной пе­рио­дич­но­сти кри­стал­ла, со­про­во­ж­даю­щий­ся пе­ре­хо­дом элек­тро­на из со­стоя­ния с им­пуль­сом $\boldsymbol p$ в со­стоя­ние с им­пуль­сом $\boldsymbol p′$. Рас­сея­ние на­зы­ва­ют уп­ру­гим, ес­ли энер­гии элек­тро­на в на­чаль­ном и ко­неч­ном со­стоя­ни­ях рав­ны, и не­уп­ру­гим в про­тив­ном слу­чае. Ис­точ­ни­ком уп­ру­го­го рас­сея­ния яв­ля­ют­ся ста­тич. де­фек­ты – при­мес­ные ато­мы, дис­ло­ка­ции, гра­ни­цы кри­стал­лич. зё­рен и т. п. (см. Де­фек­ты в кри­стал­лах). Осн. ис­точ­ник не­уп­ру­го­го рас­сея­ния – ко­ле­ба­ния кри­стал­ли­че­ской ре­шёт­ки. Рас­сея­ние элек­тро­на на ко­ле­ба­ни­ях ре­шёт­ки опи­сы­ва­ет­ся в тер­ми­нах ис­пус­ка­ния и по­гло­ще­ния фо­но­нов дви­жу­щим­ся элек­тро­ном. В не­ко­то­рых слу­ча­ях су­ще­ст­вен­но не­уп­ру­гое рас­сея­ние на др. ква­зи­ча­сти­цах – маг­но­нах, плаз­мо­нах, эк­си­то­нах. Осо­бое по­ло­же­ние за­ни­ма­ет Р. н. з. друг на дру­ге (ме­жэ­лек­трон­ное рас­сея­ние).

Изу­че­ние про­цес­сов рас­сея­ния за­ни­ма­ет од­но из центр. мест в фи­зи­ке твёр­до­го те­ла. В ча­ст­но­сти, зна­ние эф­фек­тив­но­го се­че­ния рас­сея­ния (см. в ст. Рас­сея­ние час­тиц) по­зво­ля­ет вы­чис­лить важ­ней­ший мик­ро­ско­пич. па­ра­метр – дли­ну сво­бод­но­го про­бе­га, че­рез ко­то­рую вы­ра­жа­ет­ся ряд мак­ро­ско­пич. ха­рак­те­ри­стик (элек­тро­про­вод­ность, те­п­ло­про­вод­ность, вяз­кость и др.).