ФОНО́Н
-
Рубрика: Физика
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
Книжная версия:
Электронная версия:
ФОНО́Н, квант энергии согласованного колебательного движения атомов твёрдого тела, образующих идеальную кристаллич. решётку. Ф. характеризуется волновым вектором \boldsymbol k (квазиимпульсом \hbar \boldsymbol k) и энергией \hbar ω(\boldsymbol k), где ω(\boldsymbol k) – частота колебаний, \hbar – постоянная Планка. Ф. является квазичастицей бозевского типа (см. Бозон). В твёрдом теле, содержащем s атомов в элементарной ячейке, реализуется 3s разл. мод колебаний кристаллич. решётки. Соответственно этому говорят о 3s типах Ф., с энергиями \hbar ω_1(\boldsymbol k), \hbar ω_2(\boldsymbol k), …, \hbar ω_{3s}(\boldsymbol k). Ф. делятся на акустические и оптические. Среди возбуждений кристаллич. решётки имеется одна ветвь продольных акустич. Ф., две ветви поперечных акустич. Ф., (s-1) ветвей продольных оптич. Ф. и 2(s-1) ветвей поперечных оптич. Ф. Состояние кристаллич. решётки при конечных темп-рах приближённо может рассматриваться как газ фононных квазичастиц.
Число Ф. данного типа при темп-ре T определяется Бозе-Эйнштейна распределением ⟨n_{j𝑘}⟩=[exp(\hbar ω_j(\boldsymbol k)/kT)-1]^{–1}, где k – постоянная Больцмана. При T≪T_D (T_D – Дебая температура), среднее число фононов N∼T^3, а при T≫T_D N∼T. При низких темп-рах теплоёмкость твёрдого тела (за исключением металлов) с хорошей точностью описывается теплоёмкостью фононного газа.
Взаимодействие Ф. друг с другом и с др. квазичастицами твёрдого тела определяет процессы рождения и уничтожения Ф. Такие явления лежат в основе теплопроводности твёрдых тел. Взаимодействие Ф. с электронами служит причиной формирования новой квазичастицы – полярона. Это же взаимодействие определяет осн. механизм электропроводности металлов, полуметаллов и полупроводников. Важным следствием электрон-фононного взаимодействия в металлах является возникновение эффективного притяжения между электронами, приводящего к сверхпроводимости.
Рождение Ф. при переходе атомов и молекул твёрдого тела из возбуждённого в осн. состояние определяет безызлучательную электронную релаксацию, обеспечивая передачу энергии в фононную подсистему.