КИПЕ́НИЕ
-
Рубрика: Физика
-
Скопировать библиографическую ссылку:
КИПЕ́НИЕ, процесс парообразования в жидкости, включающий рождение пузырьков пара, их рост, движение и взаимодействие; неравновесный фазовый переход 1-го рода.
К. вызывается перегревом жидкости, состояние которой попадает в область выше линии равновесия жидкость – пар (бинодали 1, рис.), или понижением давления ниже его значения на линии равновесия. На фазовой диаграмме процесс К. описывается траекторией или точкой внутри области метастабильного (перегретого) состояния, ограниченной с одной стороны бинодалью (зависимостью темп-ры равновесного кипения от давления), с другой – спинодалью (границей термодинамич. устойчивости жидкости). Темп-ра равновесного К. при атмосферном давлении приводится обычно как одна из осн. физико-химич. характеристик химически чистого вещества. При растяжении жидкости наблюдается явление кавитации, родственное К.
Давление пара в квазиравновесном пузырьке $p_п$ уравновешивается давлением жидкости $p_ж$ и межфазным натяжением $\sigma$ и связано с давлением насыщенного пара над горизонтальной поверхностью при той же темп-ре Кельвина уравнением. Критич. радиус пузырька в соответствии с Лапласа законом равен $$R_{кр}=2\sigma/(p_п-p_ж),$$причём при $R \lt R_{кр}$ пузырьки схлопываются, при $R \gt R_{кр}$ – растут.
Процесс рождения пузырьков пара в объёме гомогенной очищенной жидкости происходит вследствие термодинамич. флуктуаций плотности жидкости. Этот процесс развивается при высоких перегревах жидкости. В объёме неочищенной жидкости и на границах с твёрдой фазой (у стенок сосуда) обычно имеются (или временно появляются) зоны предпочтительного рождения пузырьков – центры К., которые могут быть как флуктуационными (плохо смачиваемые участки, зоны повышенной концентрации легкокипящей компоненты, зоны протекания экзотермич. реакции и т. п.), так и готовыми, уже имевшимися в жидкости (пузырьки нерастворённого газа, газовые или паровые пузырьки в микротрещинах при неполном смачивании твёрдой поверхности). При развитом К. центры К. возобновляются при захвате пара микроуглублениями (порами) на нагреваемой поверхности.
В пром. аппаратах К. обычно обеспечено готовыми центрами и перегрев выше темп-ры равновесного кипения невелик (при атмосферном давлении менее 10 К). При высокой мощности тепловыделения во взрывных процессах достижимый перегрев жидкости значительно выше и реализуются режимы флуктуационного рождения пузырьков.
Различают объёмное и поверхностное (пристеночное) К. При поверхностном К. осн. источником пузырьков пара является слой жидкости, примыкающий к нагреваемой поверхности. Если объём жидкости имеет темп-ру ниже равновесной темп-ры на бинодали (т. н. К. с недогревом), то пузырьки пара, образовавшиеся вблизи нагреваемой поверхности, попадая при мигрировании в холодные слои жидкости, схлопываются. Объёмное К. происходит при перегреве жидкости во всём её объёме (или при понижении давления). В этом случае пузырьки пара рождаются во всём объёме жидкости.
Рост пузырьков при К. оказывает механическое (гидродинамическое) воздействие на систему в целом. В частности, в замкнутом объёме перегретой жидкости по мере увеличения содержания пара растёт давление. В ограниченных твёрдыми стенками (напр., в трубах) дозвуковых потоках вскипающей жидкости рост содержания пара вниз по течению сопровождается снижением давления. Пузырьки пара при росте и схлопывании излучают акустич. волны – возникает шум К. Быстрый рост давления при К., возникающем при достаточно быстром перегреве жидкости (взрывной режим К.), может привести к т. н. паровому взрыву с разрушением конструкций. Пузырьки пара, всплывающие в гравитационном поле, вызывают дополнит. конвективные потоки, способствующие перемешиванию жидкости, а поверхностное К. – турбулентное движение пристеночного слоя жидкости.
При поверхностном пузырьковом К. с ростом темп-ры нагревателя отвод тепла от поверхности усиливается до наступления кризиса К. Кризис К. является следствием перехода пузырькового К. в плёночное, когда пузырьки на нагреваемой поверхности замещаются слоем пара. Кризис К. приводит к ухудшению теплосъёма и оказывается опасным для ряда энергетич. устройств.
Применение процессов К. в быту, науке и технике разнообразно. Поверхностное К. широко используется для интенсивного охлаждения поверхности – теплосъёма (напр., в атомных реакторах, реактивных двигателях, при охлаждении элементов электронной аппаратуры). К. применяется для увеличения поверхности испарения в опреснительных установках, в паровых котлах на ТЭЦ, пузырьковых камерах для визуализации треков элементарных частиц, в холодильной технике, процессах ректификации, разл. химич. технологиях, пищевой промышленности и др.