РЕЗИ́СТОР

РЕЗИ́СТОР (англ. resistor, от лат. resi­sto – со­про­тив­лять­ся), эле­мент элек­трич. це­пи (обыч­но в ви­де за­кон­чен­но­го из­де­лия), осн. функ­цио­наль­ное на­зна­че­ние ко­то­ро­го ока­зы­вать из­вест­ное ак­тив­ное со­про­тив­ле­ние элек­трич. то­ку; ис­поль­зу­ет­ся для обес­пе­че­ния тре­буе­мо­го рас­пре­де­ле­ния то­ков и на­пря­же­ний ме­ж­ду отд. уча­ст­ка­ми (вет­вя­ми) це­пи. Р. ха­рак­те­ри­зу­ют­ся: но­ми­наль­ным зна­че­ни­ем элек­трич. со­про­тив­ле­ния (от 0,1 Ом до 1 ТОм), до­пус­ти­мым от­кло­не­ни­ем от не­го (от до­лей до де­сят­ков %), макс. мощ­но­стью рас­сея­ния (обыч­но от со­тых до­лей Вт до не­сколь­ких МВт), а так­же пре­дель­ным ра­бо­чим на­пря­же­ни­ем (от до­лей В до де­сят­ков кВ), ра­бо­чей темп-рой (от –60 °C до 100–200 °C) и др.

По на­зна­че­нию Р. под­раз­де­ля­ют­ся на 3 осн. клас­са: по­сто­ян­ные Р. (в т. ч. пре­ци­зи­он­ные, вы­со­ко­вольт­ные, вы­со­ко­час­тот­ные и др.), со­про­тив­ле­ние ко­то­рых за­да­ёт­ся при из­го­тов­ле­нии и со­хра­ня­ет­ся не­из­мен­ным в про­цес­се экс­плуа­та­ции; пе­ре­мен­ные Р. (под­стро­еч­ные, ре­гу­ли­ро­воч­ные, т. н. рео­ста­ты) – со­про­тив­ле­ние мо­жет быть из­ме­не­но ме­ха­нич. пе­ре­ме­ще­ни­ем под­виж­но­го кон­так­та; Р., пре­об­ра­зую­щие в элек­трич. со­про­тив­ле­ние из­ме­не­ние к.-л. фи­зич. ве­ли­чи­ны, напр. темп-ры или по­то­ка из­лу­че­ния (тер­море­зи­сто­ры, бо­ло­мет­ры), ос­ве­щён­но­сти (фо­то­ре­зи­сто­ры), на­пря­жён­но­сти элек­трич. по­ля (ва­ри­сто­ры), маг­нит­но­го по­ля (маг­ни­то­ре­зи­сто­ры). По ма­те­риа­лу то­ко­про­во­дя­щей час­ти (ре­зи­стив­но­го эле­мен­та) Р. и его кон­ст­рук­тив­но­му ис­пол­не­нию раз­ли­ча­ют ме­тал­лич., по­лу­про­вод­ни­ко­вые, кер­мет­ные, про­во­лоч­ные, плё­ноч­ные и др. Р. Для из­го­тов­ле­ния Р. ши­ро­ко при­ме­ня­ют­ся разл. ком­по­зи­ци­он­ные ма­те­риа­лы (на ос­но­ве спла­вов ме­тал­лов, аморф­но­го уг­ле­ро­да, гра­фи­та, ок­си­дов ме­тал­лов, с ор­га­нич. свя­зую­щим и др.). Р., ис­поль­зуе­мые в со­ста­ве ин­те­граль­ных схем, фор­ми­ру­ют­ся на ос­но­ве ле­ги­ро­ван­но­го мо­но­кри­стал­лич. крем­ния в сло­ях тран­зи­стор­ной струк­ту­ры не­по­сред­ст­вен­но в про­цес­се из­го­тов­ле­ния мик­ро­схе­мы.