Подпишитесь на наши новости
Вернуться к началу с статьи up
 

ПЛЁНОЧНАЯ ТЕХНОЛО́ГИЯ

  • рубрика
  • родственные статьи
  • image description

    В книжной версии

    Том 26. Москва, 2014, стр. 403

  • image description

    Скопировать библиографическую ссылку:




ПЛЁНОЧНАЯ ТЕХНОЛО́ГИЯ в мик­ро­элек­тро­ни­ке, со­во­куп­ность спо­со­бов по­лу­че­ния и об­ра­бот­ки тон­ких плё­нок (тол­щи­ной 0,01–1 мкм) ме­тал­лов, ди­элек­три­ков, по­лу­про­вод­ни­ков при из­го­тов­ле­нии тран­зи­сто­ров и др. эле­мен­тов ин­те­граль­ных схем, а так­же ком­му­та­ци­он­ных со­еди­нений и мон­таж­ных пло­ща­док в мик­ро­схе­мах. В мик­ро­элек­тро­ни­ке для на­не­се­ния тон­ко­п­лё­ноч­ных по­кры­тий ис­поль­зу­ют фи­зич., хи­мич. и ком­би­ни­ро­ван­ные ме­то­ды. Осн. фи­зич. ме­то­ды: ис­па­ре­ние ве­ще­ст­ва в ва­куу­ме (напр., тер­ми­че­ское – за счёт те­п­ло­вой энер­гии, вы­де­ляю­щей­ся в на­гре­ва­те­ле при про­хо­ж­де­нии че­рез не­го элек­трич. то­ка; элек­трон­но-лу­че­вое, обу­слов­лен­ное вы­со­кой – до 5·108 Вт/см2 – кон­цен­тра­ци­ей энер­гии элек­тро­нов, сфо­ку­си­ро­ван­ных в уз­кий элек­трон­ный луч) с по­сле­дую­щим оса­ж­де­ни­ем (кон­ден­са­ци­ей) на по­верх­ность из­де­лия (под­лож­ки), ион­ное рас­пы­ле­ние (напр., ди­од­ное, маг­не­трон­ное), ион­но-лу­че­вое оса­ж­де­ние. К хи­мич. ме­то­дам от­но­сят­ся: элек­тро­хи­мич. оса­ж­де­ние, хи­мич. оса­ж­де­ние из га­зо­вой фа­зы, ано­ди­ро­ва­ние и др. Ком­би­ни­ров. ме­то­ды по­лу­че­ния плё­нок со­че­та­ют в се­бе как физи­че­ские, так и хи­мич. про­цес­сы (тер­мо­ион­ное и плаз­мо­хи­мич. оса­ж­де­ние, ано­ди­ро­ва­ние в га­зо­раз­ряд­ной плаз­ме и т. п.). Тре­буе­мая кон­фи­гу­ра­ция тон­ко­п­лё­ноч­ных эле­мен­тов мик­ро­схем (их ри­су­нок) соз­да­ёт­ся оса­ж­де­ни­ем че­рез мас­ки (см. Мас­ки­ро­ва­ние), фо­то­ли­то­гра­фи­ей и др. спо­со­ба­ми.

В ка­че­ст­ве под­ло­жек для из­го­тов­ле­ния тон­ко­п­лё­ноч­ных эле­мен­тов мик­ро­схем при­ме­ня­ют пла­стин­ки из стек­ла, ке­ра­ми­ки, си­тал­лов, ор­га­нич. ма­те­риа­лов, мо­но­кри­стал­лов ПП и т. п., ко­то­рые долж­ны удов­ле­тво­рять ря­ду тре­бо­ва­ний: от­сут­ст­вие по­верх­но­ст­ных и внутр. (объ­ём­ных) де­фек­тов, боль­шое объ­ём­ное и по­верх­но­ст­ное удель­ное элек­трич. со­про­тив­ле­ние, вы­со­кие те­п­ло­про­вод­ность, те­п­ло­стой­кость, ме­ха­нич. проч­ность и др.

См. так­же Эпи­так­сия.

Вернуться к началу