ПЛЁНОЧНАЯ ТЕХНОЛО́ГИЯ
-
Рубрика: Технологии и техника
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ПЛЁНОЧНАЯ ТЕХНОЛО́ГИЯ в микроэлектронике, совокупность способов получения и обработки тонких плёнок (толщиной 0,01–1 мкм) металлов, диэлектриков, полупроводников при изготовлении транзисторов и др. элементов интегральных схем, а также коммутационных соединений и монтажных площадок в микросхемах. В микроэлектронике для нанесения тонкоплёночных покрытий используют физич., химич. и комбинированные методы. Осн. физич. методы: испарение вещества в вакууме (напр., термическое – за счёт тепловой энергии, выделяющейся в нагревателе при прохождении через него электрич. тока; электронно-лучевое, обусловленное высокой – до 5·108 Вт/см2 – концентрацией энергии электронов, сфокусированных в узкий электронный луч) с последующим осаждением (конденсацией) на поверхность изделия (подложки), ионное распыление (напр., диодное, магнетронное), ионно-лучевое осаждение. К химич. методам относятся: электрохимич. осаждение, химич. осаждение из газовой фазы, анодирование и др. Комбиниров. методы получения плёнок сочетают в себе как физические, так и химич. процессы (термоионное и плазмохимич. осаждение, анодирование в газоразрядной плазме и т. п.). Требуемая конфигурация тонкоплёночных элементов микросхем (их рисунок) создаётся осаждением через маски (см. Маскирование), фотолитографией и др. способами.
В качестве подложек для изготовления тонкоплёночных элементов микросхем применяют пластинки из стекла, керамики, ситаллов, органич. материалов, монокристаллов ПП и т. п., которые должны удовлетворять ряду требований: отсутствие поверхностных и внутр. (объёмных) дефектов, большое объёмное и поверхностное удельное электрич. сопротивление, высокие теплопроводность, теплостойкость, механич. прочность и др.
См. также Эпитаксия.