ИО́ННО-ЛУЧЕВО́Е ОСАЖДЕ́НИЕ

ИО́ННО-ЛУЧЕВО́Е ОСАЖДЕ́НИЕ, спо­соб соз­да­ния на по­верх­но­сти из­де­лия (под­лож­ке) тон­ких плё­нок ме­тал­ла, по­лу­про­вод­ни­ка или ди­элек­три­ка с по­мо­щью сфо­ку­си­ро­ван­ных ион­ных пуч­ков (лу­чей). Ус­та­нов­ка И.-л. о. обыч­но со­дер­жит ис­точ­ник ио­нов (элек­трод­ный блок с тлею­щим раз­ря­дом), сис­те­му вы­тя­ги­ва­ния и фор­ми­ро­ва­ния ион­но­го пуч­ка, масс-се­па­ра­тор в ви­де сек­тор­но­го маг­ни­та, ра­бо­чую ка­ме­ру и ва­ку­ум­ную сис­те­му (дав­ле­ние до 10^–5 Па). Энер­гия ио­нов, бом­бар­ди­рую­щих по­верх­ность из­де­лия, дос­ти­га­ет 100 эВ. При И.-л. о. под дей­ст­ви­ем ион­но­го пуч­ка воз­рас­та­ет де­сорб­ция за­гряз­не­ний, ак­ти­ви­зи­ру­ют­ся про­цес­сы ми­гра­ции ато­мов оса­ж­дае­мой фа­зы и их хи­мич. взаи­мо­дей­ст­вия с под­лож­кой, уве­ли­чи­ва­ет­ся ад­ге­зия оса­ж­дае­мых плё­нок к по­верх­но­сти под­лож­ки, что по­зво­ля­ет по­лу­чать при глу­бо­ком ва­куу­ме кон­тро­ли­руе­мые по со­ста­ву бес­при­мес­ные и од­но­род­ные по струк­ту­ре по­кры­тия вы­со­кой плот­но­сти. И.-л. о. ши­ро­ко при­ме­ня­ет­ся в мик­ро­элек­тро­ни­ке, напр., для на­не­се­ния плё­нок из крем­ния, уг­ле­ро­да, хро­ма, ме­тал­ло­ор­га­нич. со­еди­не­ний при из­го­тов­ле­нии эле­мен­тов ин­те­граль­ных схем, плё­ноч­ных кон­ден­са­то­ров, ре­зи­сто­ров и т. п., а так­же для по­лу­че­ния плё­нок ПП со­еди­не­ний ти­па $\ce{CdS,\, CdTe,\, CdSe}$ и соз­да­ния на их ос­но­ве фо­то­при­ём­ни­ков, сол­неч­ных ба­та­рей, аку­сто­элек­трон­ных уст­ройств и др.