ГА́ННА ДИО́Д

ГА́ННА ДИО́Д, двух­элек­трод­ный по­лу­про­вод­ни­ко­вый при­бор (не со­дер­жа­щий p–n-пе­ре­хо­да) с от­ри­ца­тель­ным диф­ферен­ци­аль­ным со­про­тив­ле­ни­ем, воз­ни­каю­щим в од­но­род­ном кри­стал­ле по­лупро­вод­ни­ка при на­ло­же­нии силь­но­го по­сто­ян­но­го элек­трич. по­ля (по­ряд­ка не­сколь­ких кВ/см); дей­ст­вие ос­но­ва­но на Ган­на эф­фек­те. Пред­на­зна­чен для ге­не­ри­ро­ва­ния и уси­ле­ния СВЧ-ко­ле­ба­ний в диа­па­зо­не час­тот 1–100 ГГц. Обыч­но пред­став­ля­ет со­бой ПП слой с вер­ти­каль­ной струк­ту­рой ти­па n⁺–n–n⁺ (тол­щи­ной от еди­ниц до де­сят­ков мик­ро­метров), за­клю­чён­ный ме­ж­ду ме­тал­лич. кон­так­та­ми; из­го­тов­ля­ет­ся ча­ще все­го на ос­но­ве ар­се­ни­да гал­лия GaAs или фос­фи­да ин­дия InP ме­то­дом эпи­так­си­аль­но­го на­ра­щи­ва­ния. Г. д. ха­рак­те­ри­зу­ют­ся низ­ким на­пря­же­ни­ем пи­та­ния (от еди­ниц до де­сят­ков вольт), низ­ким уров­нем ам­пли­туд­ных шу­мов; вы­ход­ная мощ­ность со­став­ля­ет до не­сколь­ких ки­ло­ватт в им­пульс­ном ре­жи­ме и до де­сят­ков ватт – в не­пре­рыв­ном ре­жи­ме. Г. д. при­ме­ня­ют­ся в те­ле­мет­рич. сис­те­мах, пе­ре­нос­ных ра­дио­ло­кац. стан­ци­ях, ра­дио­ло­кац. вы­со­то­ме­рах и др. Пла­нар­ные Г. д. (с го­ри­зон­таль­ной ПП-струк­ту­рой) ис­поль­зу­ют­ся в бы­ст­ро­дей­ст­вую­щих ин­те­граль­ных схе­мах.