И́мпульсный дио́д, полупроводниковый диод, предназначенный для работы в импульсном режиме; характеризуется малой длительностью (10–7–10–10 с) переходных процессов при его переключении (изменении полярности подаваемых импульсов тока или напряжения). Для повышения быстродействия импульсного диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей заряда; достигается в основном уменьшением толщины базы диода и/или площади p–n-перехода, использованием выпрямляющих контактов металл – полупроводник (ПП) (см. Барьер Шоттки), а также введением в ПП примесей (преимущественно золота). Примесные атомы в ПП являются ловушками, которые захватывают электроны проводимости и дырки, способствуя тем самым их рекомбинации. Наибольшее распространение получили кремниевые импульсные диоды – планарно-эпитаксиальные (с базовой областью, легированной золотом), микросплавные и с барьером Шоттки; реже используются германиевые точечные и другие диоды. Часто импульсные диоды объединяют в т. н. диодные матрицы, содержащие несколько диодных структур (например, с общим катодом или анодом). Импульсные диоды применяются главным образом в логических схемах, схемах управления устройствами памяти ЭВМ, а также для умножения частоты в СВЧ-диапазоне и др.