И́МПУЛЬСНЫЙ ДИО́Д

И́МПУЛЬСНЫЙ ДИО́Д, по­лу­про­вод­ни­ко­вый ди­од, пред­на­зна­чен­ный для ра­бо­ты в им­пульс­ном ре­жи­ме; ха­рак­те­ри­зу­ет­ся ма­лой дли­тель­но­стью (10^–7–10^–10 с) пе­ре­ход­ных про­цес­сов при его пе­ре­клю­чении (из­ме­не­нии по­ляр­но­сти по­да­вае­мых им­пуль­сов то­ка или на­пря­же­ния). Для по­вы­ше­ния бы­ст­ро­дей­ст­вия И. д. не­об­хо­ди­мо умень­шить вре­мя жиз­ни не­рав­но­вес­ных но­си­те­лей за­ря­да; дос­ти­га­ет­ся в осн. умень­ше­ни­ем тол­щи­ны ба­зы дио­да и/или пло­ща­ди p–n-пе­ре­хо­да, ис­поль­зо­ва­ни­ем вы­прям­ляю­щих кон­так­тов ме­талл – по­лу­про­вод­ник (см. Шотт­ки барь­ер), а так­же вве­де­ни­ем в ПП при­ме­сей (пре­им. зо­ло­та). При­мес­ные ато­мы в ПП яв­ля­ют­ся ло­вуш­ка­ми, ко­то­рые за­хва­ты­ва­ют элек­тро­ны про­во­ди­мо­сти и дыр­ки, спо­соб­ст­вуя тем са­мым их ре­ком­би­на­ции. Наи­боль­шее рас­про­стра­не­ние по­лу­чи­ли крем­ние­вые И. д. – пла­нар­но-эпи­так­си­аль­ные (с ба­зо­вой об­ла­стью, ле­ги­ро­ван­ной зо­ло­том), мик­ро­сплав­ные и с барь­е­ром Шотт­ки; ре­же ис­поль­зу­ют­ся гер­ма­ние­вые то­чеч­ные и др. дио­ды. Час­то И. д. объ­е­ди­ня­ют в т. н. ди­од­ные мат­ри­цы, со­дер­жа­щие неск. ди­од­ных струк­тур (напр., с об­щим ка­то­дом или ано­дом). И. д. при­ме­ня­ют­ся гл. обр. в ло­гич. схе­мах, схе­мах управ­ле­ния уст­рой­ст­ва­ми па­мя­ти ЭВМ, а так­же для ум­но­же­ния час­то­ты в СВЧ-диа­па­зо­не и др.