ЦЕНТР ОКРА́СКИ

ЦЕНТР ОКРА́СКИ, де­фект кри­стал­лич. ре­шёт­ки, по­гло­щаю­щий элек­тро­маг­нит­ное из­лу­че­ние в спек­траль­ной об­лас­ти, в ко­то­рой от­сут­ст­ву­ет соб­ст­вен­ное по­гло­ще­ние кри­стал­ла. Под Ц. о. по­ни­ма­ют лю­бые то­чеч­ные де­фек­ты (ка­ти­он­ные и ани­он­ные ва­кан­сии, ме­жу­зель­ные ио­ны (соб­ст­вен­ные Ц. о.), а так­же при­мес­ные ато­мы и ио­ны (при­мес­ные Ц. о.). Це­нт­ры ок­рас­ки об­на­ру­жи­ва­ют­ся во мно­гих не­ор­га­нич. кри­стал­лах и стёк­лах, а так­же в при­род­ных ми­не­ра­лах; с ни­ми свя­за­на ок­ра­ска мн. дра­го­цен­ных кам­ней и са­мо­цве­тов.

Ц. о. мо­гут быть раз­ру­ше­ны при на­гре­ва­нии (тер­мич. обес­цве­чи­ва­ние) или воз­дей­ст­вии све­та, со­от­вет­ст­вую­ще­го спек­траль­ной об­лас­ти по­гло­ще­ния са­мих Ц. о. (оп­тич. обес­цве­чи­ва­ние). Под дей­ст­ви­ем те­п­ла или све­та один из но­си­те­лей за­ря­да, напр. элек­трон, ос­во­бо­ж­да­ет­ся от за­хва­тив­ше­го его де­фек­та и ре­ком­бини­ру­ет с дыр­кой. При­мес­ные ато­мы и ио­ны так­же мо­гут за­хва­ты­вать элек­трон или дыр­ку, в ре­зуль­та­те че­го из­меня­ют­ся по­ло­са по­гло­ще­ния кри­стал­ла и его ок­ра­ска. Ц. о., бу­ду­чи цен­тра­ми за­хва­та элек­тро­нов и ды­рок, мо­гут слу­жить цен­тра­ми све­че­ния.

Ок­ра­ши­ва­ние и обес­цве­чи­ва­ние кри­стал­лов и стё­кол ши­ро­ко при­ме­ня­ет­ся в до­зи­мет­рии, вы­чис­лит. тех­ни­ке, разл. уст­рой­ст­вах, где ис­поль­зу­ют­ся фо­то­хром­ные ма­те­риа­лы. В ар­хео­ло­гии и гео­ло­гии по Ц. о., воз­ни­каю­щим под дей­ст­ви­ем из­лу­че­ния ра­дио­ак­тив­ных эле­мен­тов, на­хо­дя­щих­ся в тол­ще Зем­ли, оп­ре­де­ля­ют воз­раст ми­не­ра­лов и древ­них ке­ра­мич. из­де­лий. Не­ко­то­рые кри­стал­лы и стёк­ла с при­мес­ны­ми Ц. о. при­ме­ня­ют в ка­че­ст­ве ак­тив­ной сре­ды твер­до­тель­ных ла­зе­ров (см. Ла­зер на цент­рах ок­рас­ки).