СПЕ́КТРЫ КРИСТА́ЛЛОВ
-
Рубрика: Физика
-
Скопировать библиографическую ссылку:
СПЕ́КТРЫ КРИСТА́ЛЛОВ, спектры поглощения или излучения, обусловленные квантовыми переходами между уровнями энергии кристалла (осн. вещества, примесей и др. локальных нарушений кристаллич. решётки). Эти переходы могут быть связаны с изменением только энергии электронов (электронные спектры) или только энергии колебательных состояний атомов кристалла (фононные спектры), а также с их одновременным изменением (вибронные спектры).
Уровни энергии осн. вещества кристалла группируются в энергетич. зоны. При межзонных переходах в спектре возникают широкие (энергетич. интервал ок. 103–104 см–1) полосы, для которых показатель поглощения может достигать 104–106 см–1 (поэтому исследование таких переходов возможно лишь в тонких образцах или по спектрам отражения). Длинноволновый край полосы межзонного (фундаментального) поглощения для узкозонных полупроводников лежит в ИК-области спектра, для широкозонных полупроводников и мн. диэлектриков – в видимой области, для части диэлектриков и для молекулярных кристаллов – в УФ-области. При фундам. поглощении света электрон из валентной зоны переходит в зону проводимости, в валентной зоне при этом образуется дырка; при рекомбинации электрона и дырки возникают спектры рекомбинационной люминесценции. Возможны также переходы, при которых рождается экситон. Экситон большого радиуса можно рассматривать как водородоподобную частицу (электрон и дырка, связанные кулоновскими силами). В спектрах таких экситонов наблюдается структура, обусловленная разл. энергетич. состояниями экситона. Экситонные полосы поглощения и люминесценции лежат с длинноволновой стороны края полосы фундам. поглощения и смещены от него на величину, соответствующую энергии кулоновского взаимодействия. При низких темп-рах в С. к. проявляется структура, связанная с бесфононными и вибронными переходами.
В запрещённой энергетич. зоне кристалла могут возникать локализованные уровни энергии, соответствующие дефектам кристаллич. решётки. В зависимости от характера проявления дефекта их называют центрами окраски, центрами люминесценции или примесными центрами. Атомы переходных и редкоземельных элементов могут давать узкие (от нескольких см–1 для атомов осн. вещества до 10–3 см–1 для атомов примеси) линии поглощения и люминесценции, соответствующие переходам между уровнями внутр. электронных оболочек, экранированных от влияния поля соседних атомов. Это внутрикристаллическое поле можно рассматривать как слабое возмущение, расщепляющее уровни энергии свободного атома. По характеру расщепления можно судить о симметрии этого поля.
Колебания решётки, создающие дипольный момент, проявляются в ИК-спектрах поглощения. Колебания, меняющие поляризуемость кристалла, проявляются в спектрах комбинационного рассеяния света. В молекулярных кристаллах колебательный спектр сохраняет черты колебательного спектра молекул, образующих кристалл, в ионных кристаллах спектр определяется свойствами всей кристаллич. решётки. В спектрах поглощения и/или рассеяния кристаллов, обладающих упорядоченной спиновой подрешёткой (напр., антиферромагнетиков), могут проявляться спиновые возбуждения (магноны).