РЕНТГЕ́НОВСКАЯ ТОПОГРА́ФИЯ
-
Рубрика: Физика
-
Скопировать библиографическую ссылку:
РЕНТГЕ́НОВСКАЯ ТОПОГРА́ФИЯ (рентгеновская дифракционная микроскопия), один из прямых методов наблюдения дефектов в кристаллах, дающий информацию об их типе, количестве и распределении в объёме кристаллич. решётки. Методы Р. т. имеют более низкое пространственное разрешение (ок. 1 мкм), чем методы электронной микроскопии (ок. 0,13 нм), но позволяют получать изображения кристаллов большей площади (10–100 см2) и имеют высокую чувствительность к локальной разориентации зёрен кристаллич. решётки (0,1–0,01″). Методы Р. т. широко используются для оценки качества кристаллов в электронной пром-сти, солнечной энергетике, при произ-ве лазеров и др.
Идея Р. т. впервые высказана нем. физиком В. Бергом в 1931. Принципиальная схема Р. т. состоит в следующем. Пучок рентгеновского излучения направляется на исследуемый кристалл под углом Брэгга (см. в ст. Брэгга – Вульфа условие) к выбранной системе кристаллографич. плоскостей. Дифрагированный луч, испускаемый каждой точкой образца, регистрируется двумерным детектором (фотопластинкой, телекамерой, ПЗС-матрицей и др.); т. о., между точками образца и точками на детекторе существует взаимно однозначное соответствие. В случае идеального кристалла все отражённые лучи будут иметь одинаковую интенсивность и детектор зарегистрирует равномерную засветку, исходящую от всех точек образца. Дефекты в кристалле формируют дифрагированные лучи иной интенсивности: детектор регистрирует картину распределения дефектов (рентгеновскую топограмму).
Количественные методы анализа дифракц. изображения появились лишь в 1959, когда брит. физик А. Ланг предложил новую схему Р. т. (сканирование и образца, и детектора; получение ограниченных и секционных топограмм). Совр. анализ дифракц. изображения опирается на динамич. теорию рассеяния рентгеновских лучей реальными кристаллами, учитывающую локальные искажения кристаллич. решётки.