ПОДВИ́ЖНОСТЬ НОСИ́ТЕЛЕЙ ЗАРЯ́ДА
-
Рубрика: Физика
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ПОДВИ́ЖНОСТЬ НОСИ́ТЕЛЕЙ ЗАРЯ́ДА в кристалле, величина, равная отношению дрейфовой скорости $v_{др}$, т. е. скорости направленного движения носителей заряда, вызванного электрич. полем, к напряжённости $E$ этого поля: $μ=v_{др}/E$. Дрейфовая скорость и, следовательно, П. н. з. ограничиваются процессами рассеяния носителей заряда, происходящими на дефектах кристаллич. решётки (гл. обр. на примесных атомах), а также на тепловых колебаниях кристаллич. решётки. Следовательно, П. н. з. зависит от темп-ры $T$. С понижением $T$ доминирующим становится рассеяние на заряженных дефектах, вероятность которого растёт с уменьшением энергии носителей заряда.
Ср. дрейфовая скорость $\overline v_{др}=eE\tau/m$, где $m$ – эффективная масса носителей заряда, $e$ – их заряд, $τ$ – время релаксации импульса (т. н. транспортное время); следовательно, $μ=eτ/m$. Электрич. проводимость кристалла связана с П. н. з. соотношением $σ=neμ$, где $n$ – концентрация носителей заряда. Понятие П. н. з. играет важную роль при описании свойств полупроводников и проводников, в которых $n$ зависит от $T$, поскольку позволяет разделить вклады в электрич. проводимость, обусловленные изменением концентрации $n$ с темп-рой и температурной зависимостью вероятности рассеяния носителей заряда.
П. н. з. при $T=300К$ варьируется в пределах от 105 до 10–3 см2/(В·с). В слабом электрич. поле $μ\gt 0$ как для электронов, так и для дырок, хотя направления их дрейфа противоположны. Разные типы носителей заряда в одном и том же веществе имеют разл. значения $μ$, а в анизотропных кристаллах $μ$ зависит от направления $\boldsymbol E$ относительно кристаллографич. осей. В сильных электрич. полях ср. энергия электронов превышает равновесную и растёт с ростом напряжённости $E$; при этом $τ$ и, следовательно, μ также начинают зависеть от $E$ (см. Горячие электроны).