ПОВЕ́РХНОСТНЫЕ СОСТОЯ́НИЯ
-
Рубрика: Физика
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ПОВЕ́РХНОСТНЫЕ СОСТОЯ́НИЯ, энергетич. состояния (уровни энергии) электронов проводимости, локализованные вблизи поверхности твёрдого тела. Волновая функция П. с. затухает в обе стороны от поверхности кристалла, но в плоскости поверхности состояния описываются волновой функцией свободного электрона. Различают собственные П. с., обусловленные обрывом кристаллич. решётки на поверхности, и несобственные, обусловленные дефектами решётки или примесями на поверхности. П. с. образуют разрешённые энергетич. зоны, разделённые запрещёнными зонами (см. Зонная теория), и их волновые функции характеризуются волновым вектором, лежащим в плоскости, касательной к поверхности. При отсутствии в объёме состояний с энергией, соответствующей энергии П. с., эти состояния называют истинными П. с., в обратном случае – поверхностными резонансами.
На возможность существования П. с. впервые указал (1932) И. Е. Тамм, который рассмотрел электронный спектр ограниченной одномерной решётки, состоящей из прямоугольных потенциальных ям, разделённых прямоугольными барьерами. Собств. П. с. вследствие этого называют таммовскими состояниями. Их появление обусловлено отличием высот потенциальных барьеров у потенциальных ям в объёме и у поверхности. У. Шокли показал (1939), что П. с. могут возникать и в том случае, когда высоты потенциальных барьеров одинаковы, но в каждой потенциальной яме есть неск. уровней, и зоны, происходящие от этих уровней, пересекаются. В реальных кристаллах таммовские состояния соответствуют оборванным (ненасыщенным) валентным связям поверхностных атомов. Обычно в результате обрыва этих связей происходит перестройка, называемая реконструкцией поверхности, т. е. смещение приповерхностных атомов как в плоскости, касательной к поверхности, так и по нормали к ней. В результате этого на поверхности образуются структуры с периодом, равным нескольким периодам объёмной решётки или несоизмеримым с её периодом. Спектр П. с. существенно зависит от типа реконструкции и от ориентации поверхности.
Для изучения собств. П. с. используют поверхности, получаемые сколом в высоком вакууме или жидком гелии, плёнки, получаемые методом молекулярной эпитаксии, а также поверхности, очищенные бомбардировкой ионами инертных газов с последующим отжигом в вакууме. Адсорбция чужеродных атомов и окисление поверхности изменяют спектр П. с. и, в частности, приводят к исчезновению собств. П. с. в области запрещённых зон полупроводников и появлению в этой области несобственных поверхностных состояний.
Для определения периода поверхностной структуры используют метод дифракции медленных электронов. Положения атомов на перестроенной поверхности измеряют с помощью сканирующего туннельного микроскопа, а также по рассеянию ионов. Тип и концентрацию адсорбированных атомов определяют методами оже-спектроскопии. Прямые методы определения спектра П. с. основаны на угловой зависимости фотоэлектронной эмиссии и т. н. инверсионной фотоэмиссии (излучения, возникающего при захвате электронов из электронного пучка, падающего на поверхность). Первым способом измеряется спектр заполненных П. с., вторым – пустых.
Распределение П. с. по энергии устанавливается по частотной зависимости коэф. отражения или поглощения света, а также по спектрам электронов, неупруго рассеянных поверхностью кристалла. При оптич. методах исследования вклад объёмных и поверхностных состояний определяют по поляризации света. Прямыми методами измерения плотности и энергетич. спектра П. с., находящихся в запрещённой зоне полупроводника, являются эффект изменения проводимости и модуляция ёмкости структуры металл – диэлектрик – полупроводник при изменении напряжения, приложенного между полупроводником и металлом.