ОПТИ́ЧЕСКАЯ ОРИЕНТА́ЦИЯ
-
Рубрика: Физика
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ОПТИ́ЧЕСКАЯ ОРИЕНТА́ЦИЯ, 1) парамагнитных атомов газа, ориентация в определённом направлении угловых моментов (механических) и связанных с ними магнитных моментов атомов (или ионов) под действием циркулярно поляризованного оптич. излучения резонансной частоты. Открыта А. Кастлером в 1953. О. о. является частным случаем оптич. накачки – перевода вещества в неравновесное состояние в процессе поглощения им света.
При О. о. в отсутствие магнитного поля угловые моменты атомов ориентируются вдоль или против направления луча ориентирующего света в зависимости от знака круговой поляризации света, а также от сочетания величин углового момента в основном ($J_0$) и возбуждённом ($J$) состояниях атома. Возникает суммарный макроскопич. вектор ориентации. Величина О. о. в случае двухуровневых атомов характеризуется отношением разности населённостей уровней к их сумме. При наличии магнитного поля в системе сохраняется проекция вектора ориентации на направление вектора магнитной индукции.
Если за время жизни возбуждённого состояния атом не подвергается столкновениям с переворотами углового момента, то процесс О. о. можно рассматривать как следствие закона сохранения проекции углового момента в системе атом – излучение: каждый фотон циркулярно поляризованного света, обладающий проекцией углового момента $\pm h$ ($h$ – постоянная Планка) на направление своего распространения, будучи поглощён, передаёт этот угловой момент возбуждённому атому – ориентирует его. Спонтанное испускание возвращает атом в осн. состояние, причём ориентация атома в среднем сохраняется (вследствие изотропности спонтанного испускания).
Если за время жизни возбуждённых атомов их ориентация разрушается столкновениями, то ориентация атомов в основном состоянии может возникать за счёт различия вероятностей возбуждения атомов, по-разному ориентированных относительно луча света. При этом ориентация совпадает со знаком поляризации света, если $J_0 \geq J$, и противоположна при $J_0 \lt J$. Это приводит к зависимости знака и величины О. о. атомов от спектрального состава ориентирующего света.
Равновесное значение О. о. устанавливается в результате конкуренции ориентирующего действия света, пропорционального произведению интенсивности света на вероятность поглощения, и процессов дезориентации за счёт межатомных столкновений и столкновений ориентированных атомов со стенками сосуда. Для атомов, угловой момент которых имеет чисто спиновую природу, сечения дезориентирующих столкновений с частицами без спинового момента оказываются очень малыми (менее 10–20 см2 для инертных газов). На этом основано использование буферных газов, которые не разрушают ориентацию и одновременно увеличивают время диффузии атомов к стенке сосуда, где ориентация теряется. Для снижения скорости релаксации на стенки сосуда с атомарными парáми наносят покрытия с малой энергией адсорбции ориентируемых атомов (напр., парафины). Эти методы позволяют достичь времён релаксации спина вплоть до 1 с. Для чисто ядерных парамагнетиков (атомы Zn, Cd, Hg, 3Не) времена релаксации спина ядра могут быть много больше. Длительные времена релаксации позволяют ориентировать атомы светом малой интенсивности (<10–3 Вт/см2).
Процесс О. о. атомов непосредственно применим к атомам щелочных металлов, атомам Zn, Cd, Hg, инертных газов в метастабильных состояниях и к некоторым другим. Перестраиваемые лазеры дают возможность ориентировать не только атомы, но и молекулы, для которых характерны большие сечения разрушения ориентации. Мн. объекты, для которых прямая О. о. неосуществима (атомы с линиями поглощения в недоступной спектральной области, ионы, свободные электроны), могут ориентироваться при столкновениях с непосредственно ориентируемыми атомами (т. н. спиновый обмен).
Техника О. о. атомов проста. Атомарный пар в прозрачной колбе с буферным газом (или буферным покрытием стенок) облучается светом газового разряда в пар ́aх того же элемента, атомы которого подвергаются ориентации. Ориентирующий свет поляризуется и фильтруется по частоте. Магнитные поля, налагаемые на рабочий объём, изменяют состояние ориентации, что фиксируется с помощью фотодетектора, измеряющего интенсивность прошедшего света. Часто О. о. осуществляется в атомных пучках.
О. о. атомов вместе с оптич. детектированием состояния ориентации применяется в магниторезонансных исследованиях (метод двойного радиооптич. резонанса, который по чувствительности на много порядков превосходит обычные методы магнитного резонанса). Для исследования магнитного резонанса возбуждённых атомов этот метод единственно возможен.
О. о. используется в исследованиях радионуклидов. Для атомов, ядра которых обладают угловым моментом, О. о. электронной оболочки сопровождается ориентацией ядер, что обнаруживается по анизотропии вылета продуктов распада ядер. Этот эффект позволяет проводить измерения изотопич. сдвигов и сверхтонкой структуры спектральных линий короткоживущих изотопов в очень малых концентрациях (единицы атомов в 1 см3).
О. о. атомов применяется также для измерения величины магнитного поля. Большие времена релаксации обеспечивают узость линий магнитного резонанса (единицы Гц), что позволяет с большой точностью измерять их частоту и тем самым магнитную индукцию. Магнитометры, работающие на этом принципе (квантовые магнитометры), имеют высокую чувствительность (до 10–12 Тл/Гц) и используются для измерения геомагнитных полей.
Для атомов, обладающих и электронным, и ядерным угловым моментом, возможен особый вид О. о., при которой достигается взаимная ориентация ядерного и электронного угловых моментов с сохранением изотропности распределения суммарного углового момента. Этот тип О. о., называемый сверхтонкой оптич. накачкой, применяется в оптических стандартах частоты.
2) Оптическая ориентация спинов носителей заряда в полупроводниках, возникновение преимущественного направления спинов носителей заряда и взаимодействующих с ними ядерных спинов при освещении полупроводника циркулярно поляризованным светом. При правой поляризации спины ориентируются противоположно световому лучу, при левой – вдоль него. О. о. обусловлена передачей углового момента циркулярно поляризованных фотонов носителям заряда и ядрам. Спиновая ориентация носителей возникает в результате спин-орбитального взаимодействия. Ядерные спины ориентируются за счёт сверхтонкого взаимодействия с фотовозбуждёнными ориентированными электронами. Существенное отличие О. о. в полупроводниках от О. о. парамагнитных атомов газа обусловлено анизотропией кристалла и коллективным характером взаимодействия электронных и ядерных спинов.
Трудность наблюдения О. о. в полупроводниках связана с её быстрой релаксацией. Характерные времена $\tau$ спиновой релаксации для электронов порядка 10–7-10–10 с, для дырок $\tau$∼10–10-10–13 с (что на много порядков меньше $\tau$ свободных атомов в газах). Спиновая система ядер релаксирует медленно: $\tau$∼10–2-1 с в кристаллах АIIIBV и $\tau$∼102-105 с в Si.
Методы обнаружения О. о. в полупроводниках основаны либо на возможности наблюдения ориентированных носителей за времена, меньшие $\tau$ (метод поляризованной люминесценции), либо на наблюдении равновесной ядерной намагниченности, сохраняющейся длительное время (методы ядерного магнитного резонанса и квантовой магнитометрии). Применяют также метод, основанный на циркулярном фотогальванич. эффекте, в котором О. о. спинов приводит к появлению электрич. тока.
С помощью О. о. исследуют кинетич. и релаксационные явления в полупроводниках, параметры их зонной структуры и дефекты кристаллич. решётки.