ГЕЛИКО́Н

ГЕЛИКО́Н, низ­ко­час­тот­ная элек­тро­маг­нит­ная вол­на, воз­ни­каю­щая и рас­про­стра­няю­щая­ся со сла­бым за­ту­ха­ни­ем в про­вод­ни­ках (ме­тал­лах, по­лу­про­вод­ни­ках, плаз­ме), по­ме­щён­ных в по­сто­ян­ное маг­нит­ное по­ле на­пря­жён­но­стью $\boldsymbol H$. Г. воз­ни­ка­ют в про­вод­ни­ках с раз­ны­ми кон­цен­тра­ция­ми но­си­те­лей то­ка (напр., элек­тро­нов про­во­ди­мо­сти $n_1$ и ды­рок $n_2$) в ре­зуль­та­те Хол­ла эф­фек­та. За­ви­си­мость час­то­ты $ω$ Г. от его дли­ны вол­ны $λ$ име­ет вид:$$\omega=\frac{\pi cH \text{cos}\vartheta}{e(n_1-n_2)} \frac {1}{\lambda^2},$$где $e$ – за­ряд элек­тро­на, $c $ – ско­рость све­та, $ϑ$ – угол ме­ж­ду на­прав­ле­ни­ем рас­про­стра­не­ния вол­ны и маг­нит­ным по­лем. Г. эл­лип­ти­че­ски по­ля­ри­зо­ван в плос­ко­сти, пер­пен­ди­ку­ляр­ной $\boldsymbol H$, век­тор элек­трич. по­ля $\boldsymbol E$ вра­ща­ет­ся во­круг $\boldsymbol H$ в том же на­прав­ле­нии, что и из­бы­точ­ная часть но­си­те­лей за­ря­да.

Г. об­ра­зу­ют­ся в силь­ных маг­нит­ных по­лях, ко­гда ра­ди­ус ор­би­ты но­си­те­лей $R≪l$ ($l $ – дли­на сво­бод­но­го про­бе­га но­си­те­лей), а час­то­та ма­ла по срав­не­нию с цик­ло­трон­ной час­то­той. Г. не рас­про­ст­ра­ня­ют­ся в на­прав­ле­нии, пер­пен­ди­ку­ляр­ном $\boldsymbol H$. За­ту­ха­ние Г. обу­слов­ле­но столк­но­ве­ния­ми но­си­те­лей за­ря­да с фо­но­на­ми и де­фек­та­ми кри­ста­ллич. ре­шёт­ки, а так­же бес­столк­но­ви­тель­ным ре­зо­нанс­ным по­гло­ще­ни­ем. Г. ана­ло­ги­чен сви­с­тя­щим ат­мо­сфе­ри­кам, рас­про­стра­няю­щим­ся в га­зо­вой и ио­но­сфер­ной плаз­ме.