КАНАЛИ́РОВАНИЕ ЗАРЯ́ЖЕННЫХ ЧАСТИ́Ц
-
Рубрика: Физика
-
Скопировать библиографическую ссылку:
КАНАЛИ́РОВАНИЕ ЗАРЯ́ЖЕННЫХ ЧАСТИ́Ц, движение заряженных частиц внутри монокристалла вдоль «каналов», образованных параллельными рядами атомов или атомных плоскостей. К. з. ч. было предсказано амер. физиками М. Т. Робинсоном и О. С. Оэном в 1961 и вскоре экспериментально обнаружено в нескольких лабораториях. Различают аксиальное и плоскостное К. з. ч. Аксиальное К. з. ч. наблюдается, когда пучок быстрых заряженных частиц падает на монокристалл под малым углом $\textθ_1$ к одной из кристаллографич. осей. При этом положительно заряженная быстрая частица (напр., протон), приближаясь к одной из цепочек атомов, параллельных кристаллографич. оси, в результате серии последовательных актов слабого рассеяния на упорядоченно расположенных атомах плавно искривляет свою траекторию так, что наблюдается почти зеркальное отражение частицы от цепочки ($\textθ_2=\textθ_1$; рис. 1, кривая а). Из теории следует, что такого рода «зеркальность» наблюдается при $\textθ_1<\textθ_Л$, где $\textθ_Л$ – т. н. угол Линдхарда, который определяется соотношением $\textθ_Л=\sqrt{Z_1Z_2e^2/ℰl}$, где $Z_1e, Z_2e$ – заряды движущейся частицы и ядра атома монокристалла, $ℰ$ – энергия частицы, $l$ – расстояние между соседними атомами в цепочке. При таком движении частица удерживается вдали от ядер, находящихся на оси цепочки. При увеличении $\textθ_1$ до значений $\textθ_1>\textθ_Л$ характер движения изменяется. Частица может испытывать близкие столкновения с ядрами, в результате которых она рассеивается на большой угол (рис. 1, кривая б) и далее движется так же, как в неупорядоченной среде. Угол $\textθ_Л$ обычно составляет величину порядка долей градуса. В толще кристалла частица, движущаяся в режиме аксиального каналирования, испытывает последовательные акты зеркального отражения от разных цепочек. В поперечной плоскости движение такой частицы в общем случае представляет случайное блуждание.
Плоскостное К. з. ч. наблюдается при падении пучка под малым углом к кристаллографич. плоскости. В этом случае частицы попеременно отражаются от соседних плоскостей; их траектория напоминает синусоиду. При этом частица также удерживается вдали от ядер.
Удержание каналированных частиц вдали от ядер приводит к ряду физич. явлений. Так, при $\textθ_1<\textθ_Л$ уменьшается выход продуктов ядерных реакций и характеристич. рентгеновских лучей от внутр. электронных оболочек. Каналированные частицы имеют существенно бóльшие пробеги по сравнению с частицами, движущимися при отсутствии каналирования.
Первоначально К. з. ч. наблюдалось для пучков положительно заряженных относительно тяжёлых частиц (протонов, дейтронов, α-частиц) при энергии порядка 1 МэВ. В этом случае из-за малости длины волны де Бройля характер движения частиц практически является классическим.
В случае движения более лёгких частиц (электронов и позитронов) часто существенны квантовые эффекты. На рис. 2 параболами приближённо изображена форма поперечного периодич. потенциала $V$ для плоскостных каналов в случае позитронов (рис. 2,а) и электронов (рис. 2,б). Горизонтальными линиями изображены энергетич. уровни поперечной составляющей движения частиц в кристалле. Стрелками указаны некоторые из возможных квантовых переходов. Соответствующие этим переходам линии электромагнитного излучения наблюдаются экспериментально.
Одно из применений К. з. ч. – т. н. метод обратного рассеяния на монокристаллах. Пучок падающих частиц направляется вдоль кристаллографич. осей или плоскостей, измеряется энергетич. спектр продуктов рассеяния или ядерных реакций. Любые отклонения от идеальности кристалла (температурные колебания атомов, дефекты) приводят к характерному искажению энергетич. спектра (рис. 3). Методом обратного рассеяния удаётся экспериментально определять положение примесных атомов в ячейке кристалла, исследовать структуру поверхностного слоя монокристалла и др.
С помощью К. з. ч. в изогнутых кристаллах удаётся отклонить пучки частиц на небольшие углы при их выводе из ускорителей. К. з. ч. может рассматриваться как метод получения монохроматич. пучков γ-квантов разл. энергий. К. з. ч. необходимо учитывать при ионной имплантации, т. к. при определённых условиях оно может привести к расширению имплантированного слоя и усложнению его структуры.
К. з. ч. относится к группе т. н. ориентационных эффектов, возникающих при взаимодействии быстрых заряженных частиц с кристаллами (см. также Теней эффект).