Ио́ффе Абра́м Фёдорович [17(29).10.1880, г. Ромны Полтавской губернии, ныне Сумская область, Украина – 14.10.1960, Ленинград, ныне Санкт-Петербург], российский физик и организатор отечественной науки, академик (1920), вице-президент (1926–1929 и 1942–1945) АН СССР. Герой Социалистического Труда (1955). Окончил Санкт-Петербургский технологический институт (1902) и Мюнхенский университет (1905), в котором работал (1903–1906) ассистентом В. К. Рентгена. С 1906 г. в Санкт-Петербургском (с 1924 Ленинградском) политехническом институте, в 1913–1948 гг. профессор этого института; организовал здесь физико-технический факультет для подготовки инженеров-физиков. С 1918 г. руководил созданным по его инициативе Физико-техническим отделом Государственного рентгенологического и радиологического института, преобразованным в 1921 г. в Физико-технический институт (ныне имени А. Ф. Иоффе), был его директором до 1951 г. С 1952 г. директор Лаборатории полупроводников (с 1955 Институт полупроводников) АН СССР. С 1932 г. также директор Физико-агрономического института, организованного по его инициативе. По предложению Иоффе и при его участии созданы физико-технические институты в Харькове, Днепропетровске (ныне Днепр), Свердловске (ныне Екатеринбург), Томске.

Основные научные труды посвящены различным аспектам физики твёрдого тела. В 1913 г. установил статистический характер вылета электронов при внешнем фотоэффекте. Совместно с М. В. Кирпичёвой объяснил механизм электропроводности ионных кристаллов (1916–1923). Совместно с сотрудниками исследовал прочность и пластичность кристаллов и показал, что прочность повышается в сотни раз при устранении поверхностных микроскопических дефектов; на основе этого открытия в 1942–1947 гг. были созданы методы получения высокопрочных материалов. В работах Иоффе разработаны рентгенографические методы изучения пластических деформаций.

В начале 1930-х гг. Иоффе впервые обратил внимание на необходимость изучения полупроводников как новых материалов для электроники и организовал их всестороннее исследование, совместно с А. В. Иоффе создал методику определения их основных характеристик. Им и его учениками проведена (1931–1940) научная классификация полупроводниковых материалов. На основе этих научных разработок были созданы термо- и фотоэлектрические генераторы и термоэлектрические холодильные установки. За исследования в области физики полупроводников Иоффе удостоен Государственной премии СССР (1942).

Иоффе уделял большое внимание воспитанию отечественных научных кадров, поднимая уровень преподавания физики и привлекая в свой институт наиболее талантливых учёных, таких как А. П. Александров, Л. А. Арцимович, И. К. Кикоин, П. П. Кобеко, И. В. Курчатов, П. И. Лукирский, Н. Н. Семёнов, Я. И. Френкель и др. С 1993 г. РАН присуждает премию имени А. Ф. Иоффе за выдающиеся работы в области физики. Член Президиума Международного союза чистой и прикладной физики. Иностранный член многих академий и других научных учреждений мира. Ленинская премия (1961, посмертно). Награждён 3 орденами Ленина.