Ве́нтильная фо́тоэдс, барье́рная фотоэдс, электродвижущая сила, возникающая в результате пространственного разделения генерируемых светом в полупроводнике электронно-дырочных пар электрическим полем ${p}$–${n}$-перехода, гетероперехода или приэлектродного Шоттки барьера на контакте металла с полупроводником. Вентильная фотоэдс относится к фотогальваническому эффекту первого типа. Генерация носителей заряда происходит непосредственно в области ${p}$–${n}$-перехода и в результате возбуждения в приэлектродных областях, откуда носители достигают области сильного поля путём диффузии. В результате разделения пар носителей заряда возникают направленные потоки электронов в ${n}$–область и дырок в ${p}$–область. В разомкнутой цепи создаётся эдс в прямом направлении ${p}$–${n}$-перехода, компенсирующая ток носителей заряда. Фотоприёмники на основе фотогальванического эффекта применяются для преобразования солнечной энергии в электрическую (солнечные батареи) и как малоинерционные высокочувствительные приёмники излучения.