АКУСТОЭЛЕКТРИ́ЧЕСКИЙ ЭФФЕ́КТ
-
Рубрика: Физика
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
АКУСТОЭЛЕКТРИ́ЧЕСКИЙ ЭФФЕ́КТ, возникновение электрич. напряжения на концах разомкнутого проводника (акустоэдс) или постоянного тока в замкнутом проводнике (акустоэлектрич. тока) вследствие увлечения свободных носителей заряда распространяющейся в проводнике акустич. волной. А. э. предсказан амер. физиком Р. Парментером (1953) и впервые обнаружен амер. физиками Г. Вайнрайхом и Х. Дж. Уайтом (1957). А. э. обусловлен передачей части импульса, переносимого волной, свободным носителям заряда вследствие акустоэлектронного взаимодействия. Знак А. э. соответствует знаку увлекаемых волной носителей заряда. А. э. нечётный – он меняет знак при изменении направления волны на противоположное. А. э. является нелинейным – величина локальной плотности акустоэлектрич. тока $j_{аэ}$ пропорциональна произведению линейных по деформации амплитуд волны концентрации свободных носителей заряда и волны электрич. поля, сопровождающих акустич. волну. Локальная плотность акустоэлектрич. тока $j_{аэ}$ пропорциональна коэф. электронного поглощения звука $α_e$ и интенсивности акустич. волны $W$: $$j_{аэ} = α_eWμ / v_s (соотношение\,Вайнрайха),$$ где $v_s$ – скорость звука, $μ$ – подвижность носителей заряда.
А. э. экспериментально наблюдается в металлах и полупроводниках. Однако в металлах и полупроводниковых кристаллах, имеющих центр симметрии (напр., Ge и Si), А. э. невелик из-за слабого акустоэлектронного взаимодействия. Существенно больший А. э. имеет место в пьезополупроводниках (напр., CdS, CdSe, ZnO). При интенсивности звука порядка 1 Вт/см2 на частотах порядка десятков мегагерц в образцах длиной ок. 1 см акустоэдс оказывается порядка неск. вольт.
В полупроводниках, помещённых в сильное электрич. поле, коэф. электронного поглощения звука зависит от скорости дрейфа $v_d$ свободных носителей заряда. При сверхзвуковой скорости дрейфа $(v_d > v_s)$ коэф. $α_e$ меняет знак и поглощение акустич. волн сменяется их усилением. Акустоэлектрич. ток также меняет знак и вычитается из тока проводимости. Следствием этого является изменение наклона вольт-амперной характеристики.
А. э. имеет место и при распространении поверхностных акустических волн в полупроводниках и слоистых структурах пьезоэлектрик–полупроводник. Сопровождающее волну переменное электрич. поле вызывает токи и перераспределение свободных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника. При этом движение носителей происходит как вдоль границы раздела, так и перпендикулярно к ней, вызывая в структуре как продольный, так и поперечный А. э. Поперечный А. э. чётный – он не меняет знак при изменении направления распространения волны на противоположное.
Вследствие относительно слабой зависимости величины А. э. от частоты акустич. волны он используется при создании широкополосных квадратичных и линейных акустоэлектрич. детекторов. А. э. применяется также для измерения интенсивности акустич. волн и измерения частотных характеристик электроакустич. преобразователей.