Ба́рди́н Джон (John Bardeen) (23.5.1908, Мадисон, штат Висконсин – 30.1.1991, Бостон), американский физик, иностранный член АН СССР (1982).

Окончил Висконсинский университет (1929), получил докторскую степень в Принстонском университете (1936). Работал в Гарвардском (1936–1938) и Миннесотском (1938–1941) университетах, затем в Военно-морской артиллерийской лаборатории в Вашингтоне; в 1945–1951 гг. – в телефонной компании Bell Labs. С 1951 г. профессор Иллинойсского университета.

Совместные исследования Бардина с У. Шокли и У. Браттейном привели к созданию полупроводникового транзистора (1947) и приборов на его основе. Изучал влияние поверхностных электронов и других факторов на проводимость полупроводников и эффекты туннелирования электронов в твёрдом теле. Вместе с учениками Л. Купером и Дж. Шриффером исследовал явление сверхпроводимости и в 1956 г. создал его теорию [модель Бардина – Купера – Шриффера (модель БКШ)]. В 1958 г. они разработали теорию сверхтекучести гелия-3.

Бардин – единственный в мире физик, дважды удостоенный Нобелевской премии по физике – в 1956 г. «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта» (совместно с Браттейном и Шокли), в 1972 г. «за совместно разработанную теорию сверхпроводимости, обычно называемую БКШ-теорией» (совместно с Купером и Шриффером). Награждён Большой золотой медалью имени М. В. Ломоносова (1988).