КРИСТАЛЛОГРА́ФИИ ИНСТИТУ́Т

КРИСТАЛЛОГРА́ФИИ ИНСТИТУ́Т име­ни А. В. Шуб­ни­ко­ва РАН (ИК РАН). Соз­дан в 1943 в Мо­ск­ве на ба­зе Ла­бо­ра­то­рии кри­стал­ло­гра­фии АН СССР, ор­га­ни­зо­ван­ной в 1937. Ос­но­ва­тель и пер­вый ди­рек­тор ин-та – А. В. Шуб­ни­ков. В 1962–96 ди­рек­тор ин-та Б. К. Вайн­штейн, с 1998 – чл.-корр. РАН М. В. Ко­валь­чук. Со дня ос­но­ва­ния в К. и. ра­бо­тал Н. В. Бе­лов.

К. и. – ве­ду­щий на­уч. центр по изу­чению кри­стал­лич. со­стоя­ния ве­ще­ст­ва. В ин-те про­во­дят­ся ис­сле­до­ва­ния про­цес­сов об­ра­зо­ва­ния кри­стал­лов, их фи­зич. свойств, струк­ту­ры с ис­поль­зо­ва­ни­ем рент­ге­нов­ско­го и син­хро­трон­но­го из­лу­че­ний, ней­тро­нов и элек­тро­нов, ис­сле­ду­ют­ся на­но­ма­те­риа­лы. Соз­дан­ные в К. и. ап­па­ра­ту­ра и ме­то­ды вы­ра­щи­ва­ния кри­стал­лов, вклю­чая кварц, лей­ко­сап­фир, ла­зер­ные кри­стал­лы, со­ста­ви­ли ос­но­ву отеч. пром-сти син­те­тич. кри­стал­лов. В ин-те раз­ра­бо­та­ны ме­то­ды го­ри­зон­таль­ной на­прав­лен­ной кри­стал­ли­за­ции, ис­кусств. эпи­так­сии тон­ких плё­нок, вы­ра­щи­ва­ния ни­те­вид­ных кри­стал­лов по­лу­про­вод­ни­ков, кри­стал­лов бел­ков и др. био­ло­ги­че­ски ак­тив­ных со­еди­не­ний, соз­да­ния тре­ко­вых мем­бран; про­ве­де­ны ус­пеш­ные экс­пе­ри­мен­ты по вы­ра­щи­ва­нию кри­стал­лов в кос­мо­се. Учё­ные К. и. вне­сли боль­шой вклад в раз­ви­тие тео­рий сим­мет­рии кри­стал­лов, рос­та кри­стал­лов, рас­сея­ния рент­ге­нов­ских лу­чей и элек­тро­нов, в соз­да­ние струк­тур­ной элек­тро­но­гра­фии, ме­то­дов струк­тур­но­го ана­ли­за, ма­ло­уг­ло­во­го рас­сея­ния, стоя­чих рент­ге­нов­ских волн. В ин-те оп­ре­де­ле­но атом­ное строе­ние со­тен но­вых кри­стал­лич. ма­те­риа­лов, от ми­не­ра­лов до бел­ков, от­кры­ты ми­не­ра­лы ик­ра­нит, рас­цве­тае­вит, соз­да­ны но­вые сег­не­то­элек­три­че­ские и жид­кие кри­стал­лы, сцин­тил­ля­то­ры для де­тек­то­ров ядер­но­го из­лу­че­ния, су­пер­ион­ные про­вод­ни­ки, маг­нит­ные и аку­сто­оп­тич. кри­стал­лич. ма­те­риа­лы. В К. и. соз­да­на фу­рье-спек­тро­ско­пия, от­кры­ты яв­ле­ние элек­тро­ги­ра­ции, фо­то­воль­таи­че­ский и маг­ни­то­пла­сти­че­ский эф­фек­ты. В ин-те раз­ра­бо­та­ны и вне­дре­ны в пром-сть отеч. рент­ге­нов­ские ди­фрак­то­мет­ры и спек­тро­мет­ры, соз­да­ны ком­плек­сы ап­па­ра­ту­ры для ис­точ­ни­ков син­хро­трон­но­го из­лу­че­ния.