Фототранзи́стор, транзистор (обычно биполярный), в котором управление коллекторным током осуществляется на основе внутреннего фотоэффекта; служит для преобразования световых сигналов в электрические с одновременным усилением последних. Основу фототранзистора составляет монокристалл полупроводника (преимущественно кремния) со структурой n–p–n- или p–n–p-типа. При попадании излучения на базу (или коллектор) в ней образуются парные носители зарядов (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются основные носители заряда, что приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению тока через фототранзистор. Основные параметры фототранзистора: интегральная чувствительность (отношение фототока к падающему световому потоку) достигает 10 А/лм; постоянная времени (характеризует инерционность фототранзистора) обычно не превышает 10^–4 с; коэффициент усиления по току составляет 10²–10³. Высокие надёжность, чувствительность и временна́я стабильность параметров фототранзистора, а также малые габаритные размеры и относительная простота конструкции обусловили широкое применение фототранзистора в системах контроля и автоматики в качестве датчиков освещённости, элементов гальванической развязки и др.