ФЛЭШ-ПА́МЯТЬ

ФЛЭШ-ПА́МЯТЬ, флеш-па­мять (англ. flash-memory), раз­но­вид­ность элек­три­че­ски пе­ре­про­грам­ми­руе­мой энер­го­не­за­ви­си­мой по­лу­про­вод­ни­ко­вой па­мя­ти. Для хра­не­ния ин­фор­ма­ции ис­поль­зу­ет­ся мас­сив яче­ек па­мя­ти из тран­зи­сто­ров с пла­ваю­щим за­тво­ром [раз­но­вид­ность по­ле­во­го МОП-тран­зи­сто­ра (ме­талл – ок­сид – по­лу­про­вод­ник)]. Ф.-п. изо­бре­те­на япон. учё­ным Ф. Ма­суо­ко во вре­мя его ра­бо­ты в ком­па­нии «Toshiba» и пред­став­ле­на ши­ро­кой ау­ди­то­рии в 1984.

Раз­ли­ча­ют Ф.-п. с од­но­уров­не­вы­ми ячей­ка­ми (англ. SLC, single-level cell), ка­ж­дая из ко­то­рых спо­соб­на хра­нить един­ст­вен­ный бит ин­фор­ма­ции (мень­ше вре­мя дос­ту­па, боль­ше ре­сурс), и с мно­го­уров­не­вы­ми ячей­ка­ми (англ. MLC, multi-level cell), ка­ж­дая из ко­то­рых спо­соб­на хра­нить нес­коль­ко бит ин­фор­ма­ции од­но­вре­мен­но (вы­со­кая плот­ность ком­по­нов­ки). Ре­сурс цик­лов пе­ре­за­пи­си для совр. SLC со­став­ля­ет 30–50 тыс., для MLC 3–5 тыс.; срок хра­не­ния ок. 10 лет.

По ме­то­ду объ­е­ди­не­ния яче­ек Ф.-п. в мас­сив и спо­со­бу дос­ту­па к ним раз­ли­ча­ют ар­хи­тек­ту­ры NOR (ло­гич. опе­ра­ция ИЛИ–НЕ) – дос­туп к про­из­воль­ной ячей­ке, бы­строе чте­ние – и NAND (ло­гич. опе­ра­ция И–НЕ) – блоч­ный дос­туп, бы­ст­рые сти­ра­ние и за­пись, вы­со­кая плот­ность ком­по­нов­ки, боль­ше ре­сурс флэш-па­мя­ти.

Ф.-п. вку­пе со спе­циа­ли­зир. кон­трол­ле­ром яв­ля­ет­ся ос­но­вой боль­шин­ст­ва совр. твер­до­тель­ных на­ко­пи­те­лей, смен­ных карт па­мя­ти и USB флэш-на­ко­пи­те­лей.