ОГРАНИЧИ́ТЕЛЬНЫЙ ДИО́Д

Типичная зависимость потерь пропускания защитного устройства на ограничительном диоде от величины входной СВЧ-мощности: Lпр – потери пропускания; Pвх – входная мощность.

ОГРАНИЧИ́ТЕЛЬНЫЙ ДИО́Д, по­лу­про­вод­ни­ко­вый ди­од, пред­на­зна­чен­ный для ог­ра­ни­че­ния (ста­би­ли­за­ции, вы­рав­ни­ва­ния) уров­ня мощ­но­сти СВЧ-сиг­на­ла; ра­бо­та ос­но­ва­на на из­ме­не­нии пол­но­го элек­трич. со­про­тив­ле­ния дио­да под дей­ст­ви­ем СВЧ-ко­ле­ба­ний. При­ме­ня­ет­ся гл. обр. для за­щи­ты при­ём­ни­ков ра­дио­ло­ка­ци­он­ных стан­ций от сиг­на­лов пе­ре­дат­чи­ка и не­ре­гу­ляр­ных по­мех ра­дио­приё­му. По срав­не­нию с СВЧ-раз­ряд­ни­ка­ми и фер­ри­то­вы­ми ог­ра­ни­чи­те­ля­ми уст­рой­ст­ва на О. д. об­ла­да­ют мень­ши­ми га­ба­рит­ны­ми раз­ме­ра­ми, бо­лее вы­со­ким бы­ст­ро­дей­ст­ви­ем, не ну­ж­да­ют­ся в це­пях управ­ле­ния и внеш­них маг­нит­ных по­лях. В О. д. ис­поль­зу­ют­ся разл. ди­од­ные струк­ту­ры: обыч­но р⁺– n – n⁺-струк­ту­ра, в ко­то­рой тол­щи­на n-об­лас­ти и кон­цен­тра­ция при­ме­си в ней вы­бра­ны так, что­бы об­ласть про­стран­ст­вен­но­го за­ря­да р⁺– n-пе­ре­хо­да смы­ка­лась с гра­ни­цей n – n⁺ (т. н. эф­фект смы­ка­ния); р – i – n-струк­ту­ра, в ко­то­рой ме­ж­ду хо­ро­шо про­во­дя­щи­ми р- и n-об­лас­тя­ми кри­стал­ла ПП име­ет­ся дос­та­точ­но ши­ро­кая ба­зо­вая об­ласть с низ­кой про­во­ди­мо­стью, близ­кой к собств. про­во­ди­мо­сти ПП (i-об­ласть); ино­гда при­меня­ет­ся кон­такт ме­талл – по­лу­про­вод- ник (см. Кон­такт элек­три­че­ский).

При низ­ком уров­не вход­ной СВЧ-мощ­но­сти (обыч­но ме­нее 10 мВт) пол­ное элек­трич. со­про­тив­ле­ние О. д. оп­ре­де­ля­ет­ся ём­ко­стью ди­од­ной струк­ту­ры, ак­тив­ным элек­трич. со­про­тив­ле­ни­ем ме­ж­ду вы­во­да­ми, ём­ко­стью и ин­дук­тив­но­стью кор­пу­са при­бо­ра (име­ет ём­ко­ст­ный ха­рак­тер), при вы­со­ком уров­не мощ­но­сти (10–100 Вт) – сум­мой ак­тив­ных элек­трич. со­про­тив­ле­ний вы­со­ко­ле­ги­ро­ван­ных об­лас­тей ди­од­ной струк­ту­ры и кон­так­тов (ре­зи­стив­ный ха­рак­тер); при этом со­про­тив­ле­ние не за­ви­сит от ве­ли­чи­ны сиг­на­ла. В диа­па­зо­не мощ­но­стей от 10 мВт до 10 Вт со­про­тив­ле­ние ди­од­ной струк­ту­ры плав­но из­ме­ня­ет­ся, со­от­вет­ст­вен­но из­ме­ня­ют­ся и по­те­ри про­пус­ка­ния за­щит­но­го уст­рой­ст­ва, оп­ре­де­ляе­мые как от­но­ше­ние мощ­но­сти вход­но­го сиг­на­ла к мощ­но­сти сиг­на­ла на вы­хо­де (рис.). Макс. вход­ная мощ­ность, оп­ре­де­ляе­мая до­пус­ти­мой мощ­но­стью рас­сея­ния О. д., со­став­ля­ет неск. Вт в не­пре­рыв­ном и неск. кВт в им­пульс­ном ре­жи­мах; вре­мя вос­ста­нов­ле­ния 5–100 нс.