Подпишитесь на наши новости
Вернуться к началу с статьи up
 

ЛАВИ́ННЫЙ ТРАНЗИ́СТОР

  • рубрика
  • родственные статьи
  • image description

    В книжной версии

    Том 16. Москва, 2010, стр. 548

  • image description

    Скопировать библиографическую ссылку:




Авторы: Ю. А. Кузнецов

ЛАВИ́ННЫЙ ТРАНЗИ́СТОР, би­по­ляр­ный тран­зи­стор, ус­той­чи­во ра­бо­таю­щий при на­пря­же­ни­ях на кол­лек­тор­ном пе­ре­хо­де, близ­ких к на­пря­же­нию элек­трич. про­боя. В этих ус­ло­ви­ях име­ет ме­сто удар­ная ио­ни­за­ция, при­во­дя­щая к ла­ви­но­об­раз­но­му на­рас­та­нию кон­цен­тра­ции сво­бод­ных но­си­те­лей за­ря­да в кол­лек­тор­ном пе­ре­хо­де тран­зи­сто­ра. Об­ра­зо­ва­ние по­движ­ных но­си­те­лей в об­лас­ти объ­ём­но­го за­ря­да кол­лек­то­ра ком­пен­си­ру­ет их по­те­ри в Л. т. при ин­жек­ции и пе­ре­но­се; при этом ко­эф. уси­ле­ния тран­зи­сто­ра по то­ку ус­та­нав­ли­ва­ет­ся рав­ным 1. От­ли­чит. осо­бен­ность Л. т. – воз­ник­но­ве­ние от­ри­ца­тель­но­го диф­фе­рен­ци­аль­но­го со­про­тив­ле­ния в це­пи эмит­тер – кол­лек­тор, что обу­слов­ли­ва­ет бы­строе на­рас­та­ние то­ка в этой це­пи. Ус­той­чи­вая ра­бо­та Л. т. в пред­про­бой­ной об­лас­ти обес­пе­чи­ва­ет­ся по­вы­шен­ной од­но­род­но­стью рас­пре­де­ле­ния элек­трич. по­ля по пло­ща­ди кол­лек­тор­но­го пе­ре­хо­да. Для из­го­тов­ле­ния Л. т. обыч­но ис­поль­зу­ют­ся эпи­так­си­аль­ные струк­ту­ры р+p-ти­па и n+ – n-ти­па на ос­но­ве Ge и Si; ба­зо­вая об­ласть Л. т. соз­да­ёт­ся ме­то­дом диф­фу­зии или ион­ной им­план­та­ции. Л. т. при­ме­ня­ют­ся в ге­нера­то­рах ко­рот­ких им­пуль­сов, что по­зво­ля­ет соз­да­вать от­но­си­тель­но про­стые и на­дёж­ные уст­рой­ст­ва для фор­ми­ро­вания мощ­ных им­пуль­сов то­ка (до не­сколь­ких А) со вре­ме­нем на­рас­та­ния им­пуль­са ме­нее 10–9 с. Воз­мож­ность Л. т. ге­не­ри­ро­вать ко­рот­кие им­пуль­сы с час­то­той по­вто­ре­ния до 100 МГц ис­поль­зу­ет­ся в уст­рой­ст­вах сов­па­де­ния им­пуль­сов и в стро­бо­ско­пич. ос­цил­ло­гра­фах. На­ли­чие па­даю­ще­го уча­ст­ка на вольт-ам­пер­ной ха­рак­те­ри­сти­ке, со­от­вет­ст­вую­ще­го от­ри­цат. со­про­тив­ле­нию, и ма­лое эф­фек­тив­ное зна­че­ние вре­ме­ни про­лё­та но­си­те­лей за­ря­да от эмит­те­ра к кол­лек­то­ру по­зво­ля­ют при­ме­нять Л. т. так­же в ге­не­ра­то­рах и уси­ли­те­лях элек­трич. ко­ле­ба­ний де­ци­мет­ро­во­го и сан­ти­мет­ро­во­го диа­па­зо­нов волн. 

Лит.: Дья­ко­нов В. П. Ла­вин­ные тран­зи­сто­ры и ти­ри­сто­ры: Тео­рия и при­ме­не­ние. М., 2008.

Вернуться к началу