ЭСА́КИ ЛЕО

ЭСА́КИ Лео (р. 12.3.1925, Оса­ка), япон. фи­зик, чл. Япон. АН (1975), ин. чл. РАН (1994). Окон­чил То­кий­ский ун-т (ба­ка­лавр, 1947), д-р фи­ло­со­фии (1959). В 1946–57 ра­бо­тал в ком­па­нии «Kogyo» (Ко­бе), в 1956–60 – в «Sony» (То­кио), с 1960 – в IBM (США). Осн. на­уч. тру­ды по фи­зи­ке твёр­до­го те­ла (в т. ч. фи­зи­ке по­лу­про­вод­ни­ков, сверх­про­во­ди­мо­сти, маг­не­тиз­му), по­лу­про­вод­ни­ко­вой элек­тро­ни­ке. Впер­вые экс­пе­ри­мен­таль­но на­блю­дал тун­нель­ный эф­фект в по­лу­про­вод­ни­ках и по­стро­ил (1957) тун­нель­ный ди­од (ди­од Эса­ки). От­крыл (1962) силь­ное воз­рас­та­ние маг­ни­то­со­про­тив­ле­ния в про­вод­ни­ке при не­ко­то­ром кри­тич. зна­че­нии элек­трич. по­ля (эф­фект Эса­ки). Об­на­ру­жил (1966) сверх­про­во­дя­щую щель в энер­ге­тич. спек­тре по­лу­про­вод­ни­ков. Но­бе­лев­ская пр. (1973, совм. с А. Джай­е­ве­ром).