ФОТОПРОВОДИ́МОСТЬ
-
Рубрика: Физика
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ФОТОПРОВОДИ́МОСТЬ (фоторезистивный эффект), увеличение электрич. проводимости полупроводника под действием электромагнитного излучения. Впервые наблюдалась в селене амер. физиком У. Смитом в 1873. Ф. обусловлена увеличением концентрации носителей заряда под действием света. При поглощении фотона электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости, вследствие этого образуется пара носителей заряда – электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне. При приложении к полупроводнику напряжения оба типа носителей заряда создают электрич. ток. Для возникновения Ф. в полупроводнике с собств. проводимостью энергия фотона должна превышать ширину запрещённой зоны. В полупроводнике с примесями поглощение фотона может сопровождаться переходом из расположенного в запрещённой зоне энергетич. уровня, что позволяет увеличить длину волны света, вызывающего Ф. Это обстоятельство важно для детектирования ИК-излучения. Условием высокой Ф. является также большой показатель поглощения света, который реализуется в прямозонных полупроводниках.
Ф. применяется в приборах ночного видения. Увеличение проводимости при освещении используется в ксерографии (электрич. заряды стекают с засвеченных мест предварительно наэлектризованной поверхности полупроводникового барабана). Явление Ф. используется также для определения электрич. свойств полупроводниковых структур.