Ржа́нов Анато́лий Васи́льевич (9.4.1920, Иваново-Вознесенская губерния, Иваново-Вознесенский уезд, ныне Иваново – 25.7.2000, Новосибирск), российский физик, академик АН СССР (1984).

Окончил Ленинградский политехнический институт (1941). Участник Великой Отечественной войны. В 1944–1962 гг. работал в Физическом институте имени П. Н. Лебедева АН СССР. С 1963 г. преподавал в Новосибирском государственном университете (профессор с 1966). В 1964 г. организовал и возглавил Институт физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР (Новосибирск; ныне Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН).

Основные труды по физике диэлектриков и полупроводников, полупроводниковой электронике. Открыл и исследовал пьезоэлектрический эффект в поляризованной керамике на основе титаната бария. Создал и исследовал образцы точечно-контактных и вплавленных германиевых диодов и триодов. Изучал процессы объёмной и поверхностной рекомбинации в полупроводниках, происхождение и свойства поверхностных электронных состояний, разработал энергонезависимые матричные элементы памяти, различные приборы и устройства СВЧ-электроники и фотоприёмные устройства от видимого до дальнего ИК-диапазона спектра.

Награждён орденом Ленина (1980), орденом «За заслуги перед Отечеством» 4-й степени (1999).