РЖА́НОВ АНАТОЛИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ

РЖА́НОВ Ана­то­лий Ва­силь­е­вич (9.4.1920, Ива­но­во-Вознесенск – 25.7.2000, Но­во­си­бирск), рос. фи­зик, акад. РАН (1984). Окон­чил Ле­нингр. по­ли­тех­нич. ин-т (1941). Уча­ст­ник Вел. Отеч. вой­ны. В 1944–62 ра­бо­тал в Фи­зич. ин-те АН СССР. В 1962 ор­га­ни­зо­вал и воз­гла­вил Ин-т фи­зи­ки твёр­до­го те­ла и по­лу­про­вод­ни­ко­вой элек­тро­ни­ки СО АН СССР (Но­во­си­бирск) (ны­не Ин-т фи­зи­ки по­лу­про­вод­ни­ков име­ни Р.). Од­но­вре­мен­но с 1963 пре­по­да­вал в Но­во­си­бир­ском гос. ун-те (проф. с 1966). Осн. тру­ды по фи­зи­ке ди­элек­три­ков и по­лу­про­вод­ни­ков, по­лу­про­вод­ни­ко­вой элек­тро­ни­ке. От­крыл и ис­сле­до­вал пье­зо­элек­трич. эф­фект в по­ля­ри­зо­ван­ной ке­ра­ми­ке на ос­но­ве ти­та­на­та ба­рия. Соз­дал и ис­сле­до­вал об­раз­цы то­чеч­но-кон­такт­ных и вплав­лен­ных гер­ма­ние­вых дио­дов и трио­дов. Изу­чал про­цес­сы объ­ём­ной и по­верх­но­ст­ной ре­ком­би­на­ции в по­лу­про­вод­ни­ках, про­ис­хо­ж­де­ние и свой­ст­ва по­верх­но­ст­ных элек­трон­ных со­стоя­ний, раз­ра­бо­тал энер­го­не­за­ви­си­мые мат­рич­ные эле­мен­ты па­мя­ти, разл. при­бо­ры и уст­рой­ст­ва СВЧ-элек­тро­ни­ки и фо­то­при­ём­ные уст­рой­ст­ва от ви­ди­мо­го до даль­не­го ИК-диа­па­зо­на спек­тра. На­гра­ж­дён ор­де­ном Ле­ни­на (1980).