ОСИПЬЯ́Н ЮРИЙ АНДРЕЕВИЧ
-
Рубрика: Физика
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ОСИПЬЯ́Н Юрий Андреевич (15.2.1931, Москва – 10.9.2008, там же), рос. физик, акад. РАН (1981), вице-президент АН СССР (1988–91), пред. Президиума Науч. центра РАН в Черноголовке (1980–2004). Герой Соц. Труда (1986). Окончил Моск. ин-т стали (1955), МГУ (1959). Работал в Ин-те металлофизики ЦНИИ чёрной металлургии (1955–1962), Ин-те кристаллографии АН СССР (1962–63). С 1963 в Ин-те физики твёрдого тела АН СССР (Черноголовка); один из основателей этого ин-та, директор (1973–2002), науч. руководитель (с 2002). Проф. Моск. физико-технич. ин-та (с 1970), МГУ (с 1997).
Осн. науч. труды посвящены физике твёрдого тела, в т. ч. теории фазовых превращений, физике прочности, физике электрич. и магнитных явлений, физике полупроводников, сверхпроводимости. Исследовал взаимодействие дислокаций с электронами в полупроводниках и открыл новые явления в них: фотопластический эффект, электропластический эффект, электрич. заряд на дислокациях, спин-зависимую рекомбинацию и электронный парамагнитный резонанс на дислокациях, дислокационную проводимость и др. Работы О. легли в основу нового направления физики твёрдого тела – физики дислокаций в полупроводниковых кристаллах. Создал науч. школу по этому направлению. Награждён орденами Ленина (1981, 1986), Золотой медалью им. П. Н. Лебедева РАН (1984), орденом «За заслуги перед Отечеством 2-й степени» (1999), Большой золотой медалью им. М. В. Ломоносова РАН (2005). Гл. редактор журналов «Квант» (с 1985), «Материаловедение» (с 1997), «Поверхность» (с 1995), «Физика низкоразмерных структур» (с 1998).