ОБОГАЩЁННЫЙ СЛОЙ
-
Рубрика: Физика
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ОБОГАЩЁННЫЙ СЛОЙ, слой полупроводника с повышенной, по сравнению с равновесной, концентрацией осн. носителей заряда. Образуется вблизи контакта с металлом, вблизи гетероперехода, р–n-перехода, свободной поверхности полупроводника. Контакты, образующие О. с., предпочтительны в качестве омических для полупроводниковых приборов и образцов с носителями заряда одного знака.