ИО́ННЫЕ ИСТО́ЧНИКИ
-
Рубрика: Физика
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ИО́ННЫЕ ИСТО́ЧНИКИ, устройства для получения в вакууме ионных пучков. И. и. – неотъемлемая часть ускорителей, инжекторов быстрых атомов для термоядерных систем, установок электромагнитного разделения изотопов, масс-спектрометров, технологич. установок разл. назначения и др. Важнейшие параметры И. и.: полный ток и плотность тока ионного пучка; энергия ионов; характерный поперечный размер пучка; мера интенсивности пучка – первеанс – отношение силы тока к ускоряющему напряжению в степени 3/2; мощность пучка – произведение полного тока на энергию ионов; качество пучка, т. е. его пространственная и скоростная сформированность – эффективный угол расходимости и энергетич. разброс ионов; компонентный состав пучка – положительные и отрицательные ионы, атомарные, молекулярные, многозарядные ионы; энергетич. эффективность И. и. – отношение мощности пучка к мощности, потребляемой И. и. от сети; газовая эффективность – отношение потока сформированных ионов к потоку подаваемого в И. и. газа. И. и. делятся на импульсные, квазистационарные и стационарные.
И. и. состоит из двух осн. узлов: эмиттера ионов и электростатич. системы, с помощью которой ионы извлекаются, ускоряются и формируются в направленный поток, т. н. ионно-оптич. система (ИОС). В простейшем виде И. и. состоит из эмиттера и ускоряющего электрода с отверстием для выхода ионного пучка. Для дополнит. фокусировки ускоренного пучка используются электростатич. и магнитные линзы.
В зависимости от физич. природы эмиттера ионов различают неск. типов И. и.: 1) И. и. с поверхностной ионизацией, где эмиттером ионов служит поверхность твёрдого или жидкого накалённого металла; 2) плазменные И. и., в которых ионы отбираются с поверхности плазмы, образуемой с помощью газового разряда; 3) «полевые» И. и., в которых ионы образуются под действием сильного электрич. поля (порядка 108 В/см) на и вблизи поверхности твёрдого тела за счёт полевой ионизации атомов окружающей газовой среды (см. Ионизация полем).
Поверхностные ионные источники
Один из известных способов получения ионов состоит в том, что поток атомов, направленный на поверхность твёрдого тела, выбивает из неё положительные и отрицательные ионы. Так, напр., пучки ионов $\ce{Cs^+}$ с плотностью тока до 0,1 А/см2 получают при диффузии атомов Cs через накаливаемый пористый вольфрам. Десорбируемый с нагретой поверхности атом $\ce{Cs}$ удаляется в ионизованном состоянии (как ион $\ce{Cs^+}$), т. к. его энергия ионизации меньше работы выхода электрона из $\ce{W}$ и, следовательно, более вероятен захват «общего» электрона металлом, а не отделяющейся от поверхности частицей. Если энергия сродства к электрону больше работы выхода, то в системе атом – поверхность твёрдого тела «общий» электрон захватывается не твёрдым телом, а атомом и образуются отрицательные ионы. Так, напр., на поверхности борида лантана получены ионы $\ce{I^{-}}$ с плотностью тока от 1 до 10 мА/см2.
Плазменные ионные источники
широко используются для создания интенсивных пучков положительных и отрицательных ионов, а также пучков многозарядных ионов. Эмиттером ионов служит плазма, создаваемая дуговым разрядом низкого давления в газоразрядной камере. Для лучшего удержания ионов и быстрых катодных электронов в объёме разряда используется внешнее магнитное поле. Однако это ухудшает однородность плазмы на эмиссионной границе и увеличивает уровень шумов в плазме и колебаний в ионном пучке. Этих недостатков нет в И. и. без внешнего магнитного поля, но они менее эффективны. Весьма эффективны И. и. с периферийным магнитным полем, окружающим газоразрядную камеру. Т. о., существует неск. разл. систем плазменных эмиттеров, но ИОС для всех типов И. и. одна и та же – многоапертурная электростатич. система, состоящая из 3–4 электродов, каждый из которых содержит десятки и сотни идентичных апертур круглой или щелевой формы. Общий пучок складывается из отд. лучей, направление и угол расходимости которых определяют геометрию всего пучка. Поэтому необходимо тщательное согласование параметров газоразрядной плазмы (концентрации ионов и темп-ры по всей поверхности эмиттера) с характеристиками ИОС – геометрией электродов и напряжённостью электрич. поля. Для термоядерных целей были разработаны мощные И. и. с большими поверхностями плазменных эмиттеров (в сотни см2) и многоапертурными ИОС, обеспечивающими мощность пучков в неск. МВт.
Широко распространённым плазменным И. и. является дуоплазматрон, в котором для увеличения степени ионизации столб разряда подвергается механич. и магнитному сжатию с помощью диафрагм и магнитного поля, нарастающего к анодному отверстию малого диаметра. Сжатие разрядной дуги в узком канале промежуточного электрода 2 (рис. 1) сопровождается возникновением плазменного «пузыря» со скачком потенциала в слое, отделяющем катодную плазму I от более плотной анодной плазмы II. Слой III ускоряет и фокусирует электроны, выходящие из плазмы I в плазму II. Вблизи анода 4 плотная плазма ещё сжимается сильным неоднородным магнитным полем, сечение плазмы вблизи выходного отверстия уменьшается, а концентрация возрастает до 1014– 1015 см–3. Такая плазма эмитирует ионы с плотностью тока в десятки А/см2, т. е. образуется «точечный» эмиттер. Однако ИОС не способна формировать пучок с такими плотностями тока, поэтому были использованы расширитель плазмы за анодным отверстием и дополнительная камера с антикатодом, что позволило создать плазменный эмиттер с большой поверхностью и умеренной плотностью тока. Многоапертурная ИОС позволяет формировать пучки с током порядка 10 А. Эта модификация называется дуонигатроном.
Относительно прост плазменный эмиттер с большой поверхностью в И. и. без внешнего магнитного поля. Плазма создаётся в газоразрядной камере с помощью диффузного разряда низкого давления между распределённым катодом в виде большого количества накаливаемых нитей и анодным фланцем. Размеры эмиссионной поверхности достигают 12: 50 см2 с хорошей однородностью эмиссии. Величина тока пучка, формируемого в этом случае многоапертурной ИОС, более 100 А.
В И. и. с периферийным магнитным полем, которое локализовано вблизи стенок газоразрядной камеры («магнитная стенка») и отсутствует в центре, уменьшаются потери ионов из плазмы, сохраняется хорошая однородность плазмы на эмиссионной границе и повышаются энергетич. и газовая эффективности. При использовании 4-электродной многоапертурной ИОС достигнут ток св. 70 А при энергии ионов водорода (дейтерия) до 120 кэВ. Указанные выше И. и. работают в квазистационарных режимах.
Для генерации пучков отрицательных ионов разработаны метод т. н. двойной перезарядки положительных ионов и метод непосредственного извлечения отрицательных ионов из плазмы. Методом двойной перезарядки пучки отрицательных ионов получаются при проведении сформированных пучков положительных ионов $\ce{H^+}$ низкой энергии через мишени из паров щелочных металлов ($\ce{Na,\, Cs}$). Эффективность выхода ионов $\ce{H^{-}}$ составляет от 10 до 30% в зависимости от выбора паров металла и энергии первичного пучка. Использование И. и. без магнитного поля и с периферийным магнитным полем позволило получить пучки ионов $\ce{H^{–}}$ с током в неск. А и ионов $\ce{He^{–}}$ с током до 1 А.
Плазменные И. и. с непосредственным извлечением отрицательных ионов основываются на поверхностно-плазменном и объёмно-плазменном способах их образования.
Импульсные плазменные И. и. позволяют получать в течение десятков наносекунд ионные пучки с током до 106 А, объёмный заряд которых автоматически компенсируется захватываемыми электронами. Принципиальная трудность создания таких эффективных импульсных И. и. связана с необходимостью подавления электронного потока, неизбежно распространяющегося внутри высоковольтного разрядного промежутка навстречу формируемому ионному пучку. Она преодолевается в т. н. отражательных триодах и диодах с поперечным магнитным полем.
Ионные источники с полевым испарением
Особое значение с 1980-х гг. приобретают жидкометаллические И. и., которые вследствие большой начальной плотности ионного тока позволяют формировать плотные пучки субмикронного диаметра – ионные зонды. Эмиттером в жидкометаллических И. и. (рис. 2) служит небольшая часть поверхности жидкого металла, покрывающего металлич. иглу тонким слоем. Перед эмиттером находится электрод-экстрактор, создающий вблизи острия сильное ускоряющее ионы электрич. поле порядка 108 В/см и имеющий отверстие для вывода формируемого ионного пучка. Режим полевого испарения с жидкой фазы отличается большим током эмиссии, саморазогревом эмитирующей области, характерным свечением вблизи острия. Плотность тока И. и. с полевым испарением достигает 108 А/см2.
Источники многозарядных ионов. Многозарядные ионы могут образоваться в результате как однократных, так и ряда последовательных электрон-атомных столкновений. Ступенчатый механизм образования многозарядных ионов более эффективен. Однако в обоих случаях для получения многозарядных ионов необходимы высокие энергии электронов и высокие плотности электронных потоков. Для этого используют разряды с осцилляцией электронов в магнитном поле, ВЧ-разряды в условиях электронно-циклотронного резонанса, создающие электростатич. ловушки для ионов. Наибольшие успехи в получении ионов с высокой кратностью заряда достигнуты при воздействии на твёрдое тело мощным лазерным излучением.