ИО́ННО-ФОТО́ННАЯ ЭМИ́ССИЯ

ИО́ННО-ФОТО́ННАЯ ЭМИ́ССИЯ, эмис­сия (ис­пус­ка­ние) фо­то­нов при ион­ной бом­бар­ди­ров­ке по­верх­но­сти твёр­дых тел. Про­ис­хо­дит в ре­зуль­та­те сня­тия элек­трон­но­го воз­бу­ж­де­ния в ато­мах и мо­ле­ку­лах твёр­до­го те­ла, воз­ни­каю­ще­го при пе­ре­да­че энер­гии от пер­вич­ных ио­нов элек­трон­ной под­сис­те­ме из­лу­чаю­щих ато­мов. При этом фо­то­ны мо­гут ис­пус­кать­ся как не­по­сред­ст­вен­но бом­бар­ди­руе­мой по­верх­но­стью, так и от­ле­таю­щи­ми от неё час­ти­ца­ми – рас­пы­лён­ны­ми и рас­се­ян­ны­ми ато­ма­ми, ио­на­ми, мо­ле­ку­ла­ми и мно­го­атом­ны­ми ком­плек­са­ми (кла­сте­ра­ми). Наи­бо­лее ин­тен­сив­ны­ми в спек­трах яв­ля­ют­ся, как пра­ви­ло, ли­нии рас­пы­лён­ных ато­мов. Вы­ход фо­то­нов ха­рак­те­ри­зу­ет­ся ко­эф. эмис­сии (кван­то­вым вы­хо­дом), т. е. сред­ним чис­лом эми­ти­ро­ван­ных фо­то­нов на один па­даю­щий ион. Для чис­тых ме­тал­лов эта ве­ли­чи­на по­ряд­ка 10^–3– 10^–7 фо­то­нов/ион, для ок­си­дов ме­тал­лов и ди­элек­три­ков су­ще­ст­вен­но вы­ше.

И.-ф. э. ле­жит в ос­но­ве ме­то­да ион­но-фо­тон­ной спек­тро­ско­пии для ди­аг­но­сти­ки эле­мент­но­го со­ста­ва по­верх­но­сти.