ДВОЙНО́Й ЭЛЕКТРИ́ЧЕСКИЙ СЛОЙ
-
Рубрика: Физика
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ДВОЙНО́Й ЭЛЕКТРИ́ЧЕСКИЙ СЛОЙ в плазме, тонкий слой, образованный двумя пространственно разделёнными слоями электрич. зарядов разного знака. Д. э. с. в плазме является областью с сильно нарушенной квазинейтральностью плазмы; толщина его составляет неск. дебаевских радиусов экранирования. Существует неск. механизмов образования Д. э. с. в плазме: столкновение двух плазм с разными параметрами (плотность, темп-ра), развитие токовой неустойчивости (неустойчивости Бунемана) и др.
Частица с зарядом $e$ при пролёте через Д. э. с. с разностью потенциалов $\Delta \varphi$ набирает энергию $E=e \Delta \varphi$, которая в сильных полях может во много раз превышать ср. кинетич. энергию (темп-ру) частиц плазмы.
Для существования стационарного Д. э. с. в бесстолкновительной плазме требуется выполнение условий Ленгмюра и Бома. Условие Ленгмюра есть следствие баланса потоков импульса электронов и ионов, пролетающих через Д. э. с., и при $e \Delta \varphi \gg T_e$, $T_i$ ($T_e$, $T_i$ – электронная и ионная темп-ры) оно определяет необходимое отношение электрич. токов электронов $j_e$ и ионов $j_i$ через Д. э. с. Тепловое движение частиц, препятствующее разделению зарядов, не может помешать формированию Д. э. с., если выполнено условие Бома: $m_ev^2 \geq T_e+T_i$, где $m_e$ – масса электрона, $v=j_e/en$– скорость дрейфа электронов, переносящих ток ($n$ – плотность плазмы). Но при этом условии появляется раскачка связанных друг с другом колебаний плотности заряда электронной и ионной компонент плазмы (неустойчивость), которая может привести к разрушению Д. э. с. Заряженные частицы, ускоренные в сильных Д. э. с., образуют в прилегающей плазме электронный и ионный пучки. При этом возможно развитие разл. пучковых неустойчивостей и происходит генерация плазменных колебаний, в частности ленгмюровских.
При нарушении условия Бома в неизотермич. плазме $(T_e>T_i)$ с током могут образовываться короткоживущие слабые Д. э. с. с таким $\Delta \varphi$, что $e \Delta \varphi \leq 2T_e$. Характерное время этих динамич. образований порядка $\omega_p^{-1}$ ($\omega_p$ – плазменная частота); их существенной структурной особенностью является наличие отрицательного потенциала (т. н. виртуального катода) непосредственно перед скачком потенциала в Д. э. с. При этом часть электронов, переносящих ток через Д. э. с., отражается от этого потенциального барьера.
Обмен импульсом между электронами и ионами при наличии многих Д. э. с. часто рассматривается как механизм трения электронов об ионы, объясняющий аномальное сопротивление слабостолкновительной плазмы. Такие множественные слабые Д. э. с. регулярно регистрируются приборами на ИСЗ в полярной области ионосферной плазмы. В авроральной области ионосферы наблюдаются более крупномасштабные структуры, протяжённость которых достигает десятков и сотен километров вдоль геомагнитного поля и 1–10 км поперёк. Существующее в этих структурах электрич. поле достигает 1 В/м в поперечном направлении и ускоряет электроны до энергии порядка десятка кэВ в продольном направлении. Считается, что дискретные дуги полярных сияний обусловлены вторжением этих ускоренных электронов в нижние слои ионосферы.