АНДРЕ́ЕВСКОЕ ОТРАЖЕ́НИЕ

АНДРЕ́ЕВСКОЕ ОТРАЖЕ́НИЕ, от­ра­же­ние элек­трон­ных ква­зи­ча­стиц от гра­ницы ме­ж­ду нор­маль­ным про­вод­ни­ком и сверх­про­вод­ни­ком, со­про­во­ж­даю­ще­еся из­ме­не­ни­ем ти­па ква­зи­ча­стиц (элек­трон–дыр­ка, дыр­ка–элек­трон) и ро­ж­дени­ем или унич­то­же­ни­ем в сверх­про­вод­ни­ке ку­пе­ров­ской па­ры элек­тро­нов. Пред­ска­за­но А. Ф. Ан­д­рее­вым (1964). В от­ли­чие от обыч­но­го (зер­каль­но­го) от­ра­же­ния, А. о. со­про­во­ж­да­ет­ся из­ме­не­ни­ем на­прав­ле­ния век­то­ра ско­ро­сти ква­зи­ча­стиц (в ча­ст­но­сти, про­ек­ции ско­ро­сти на плос­кость гра­ни­цы) на об­рат­ное. А. о. яв­ля­ет­ся осн. ме­ха­низ­мом элек­трич. то­ка че­рез гра­ни­цу, а так­же при­чи­ной её зна­чи­тель­но­го те­п­ло­во­го со­про­тив­ле­ния. А. о. ис­поль­зу­ет­ся для объ­яс­не­ния свойств про­ме­жу­точ­но­го со­стоя­ния сверх­про­вод­ни­ков I ро­да. А. о. про­ис­хо­дит так­же в объ­ё­ме сверх­про­вод­ни­ков на не­од­но­род­но­стях, в ча­ст­ности при на­ли­чии вих­ре­вой струк­ту­ры в сверх­про­вод­ни­ках II ро­да. А. о. про­яв­ля­ет­ся и в свой­ст­вах др. сис­тем: ано­маль­ных фер­ми-жид­ко­стей, дву­мер­ных элек­тро­нов, кварк-глю­он­ной плаз­мы и, в осо­бен­но­сти, сверх­те­ку­чих фаз жид­ко­го ге­лия ³He (роль элек­тро­нов иг­ра­ют здесь ато­мы ³He). В ³He осо­бое зна­че­ние име­ет А. о. на гра­ни­цах ме­ж­ду разл. фа­за­ми и в объ­ё­ме жид­ко­сти на не­од­но­род­но­стях (т. н. тек­стур­ное А. о.). На А. о. ос­но­ва­но дей­ст­вие фи­зич. при­бо­ров (ин­тер­фе­ро­мет­ров, спек­тро­мет­ров, мик­ро­реф­ри­же­ра­то­ров, бо­ло­мет­ров и др.), ис­поль­зуе­мых для ис­сле­до­ва­ния но­вых ма­те­риа­лов (вы­со­ко­тем­пе­ра­тур­ных и не­тра­ди­ци­он­ных сверх­про­вод­ни­ков, уг­ле­род­ных на­нот­ру­бок, по­лу­ме­тал­лов, маг­нит­ных ма­те­риа­лов), а так­же эле­мен­тов ло­ги­ки, па­мя­ти и эле­мен­тов кван­то­вых ком­пь­ю­те­ров.