АКУСТОЭЛЕКТРИ́ЧЕСКИЕ ДОМЕ́НЫ

АКУСТОЭЛЕКТРИ́ЧЕСКИЕ ДОМЕ́НЫ, об­лас­ти силь­но­го элек­трич. по­ля и боль­шой ин­тен­сив­но­сти низ­ко­час­тот­ных аку­стич. фо­но­нов (аку­стич. шу­мов) в по­лу­про­вод­ни­ке, воз­ни­каю­щие при ге­не­ра­ции фо­но­нов дрей­фом но­си­те­лей за­ря­да за счёт аку­сто­элек­трон­но­го уси­ле­ния (см. Аку­сто­элек­трон­ное взаи­мо­дей­ст­вие). При при­ло­же­нии к пье­зо­элек­трич. по­лу­про­вод­ни­ку элек­трич. по­ля, дос­таточ­но­го для элек­трон­но­го уси­ле­ния, аку­стич. шу­мы в нём мо­гут зна­чи­тель­но уси­ли­вать­ся. Их ин­те­граль­ная ин­тен­сив­ность мо­жет дос­ти­гать боль­шой ве­ли­чи­ны (до со­тен Вт/см²). При этом элек­тро­про­вод­ность об­лас­ти кри­стал­ла с боль­шой ин­тен­сив­но­стью шу­мов умень­ша­ет­ся. Про­ис­хо­дит пе­ре­рас­пре­де­ле­ние на­пря­же­ния в об­раз­це, и воз­ни­ка­ют об­лас­ти силь­но­го по­ля – до­ме­ны. На­блю­да­ют­ся как ста­ти­че­ские, так и дви­жу­щие­ся А. д. Пер­вые, как пра­ви­ло, об­разуют­ся в вы­со­ко­ом­ных (напр., CdS с удель­ным со­про­тив­ле­ни­ем 10³–10⁵ Ом· см при ком­нат­ной темп-ре), вто­рые – в низко­ом­ных (GaAs, GaSb, Te, ZnO) ма­те­риа­лах. Раз­ме­ры А. д. обыч­но со­став­ля­ют 0,1–1 мм. Они воз­ни­ка­ют гл. обр. на не­од­но­род­но­стях об­раз­ца.