ХИМИ́ЧЕСКОЕ ОСАЖДЕ́НИЕ ИЗ ГА́ЗОВОЙ ФА́ЗЫ

ХИМИ́ЧЕСКОЕ ОСАЖДЕ́НИЕ ИЗ ГА́ЗО­ВОЙ ФА́ЗЫ, тех­но­ло­гия по­лу­че­ния из ис­ход­ных га­зо­об­раз­ных со­еди­не­ний твёр­дых по­кры­тий на на­гре­тых под­лож­ках. По ме­ха­низ­му ре­ак­ций вы­де­ля­ют: тер­мич. раз­ло­же­ние га­зо­об­раз­ных не­ор­га­нич. или ме­тал­ло­орга­нич. со­еди­не­ний [напр., SiH₄→Si, Ni(CO)₄→Ni]; взаи­мо­дей­ст­вие двух и бо­лее га­зо­об­раз­ных ве­ществ (напр., WF₆+H₂→W, NbCl₅+ +H₂+N₂→NbN_x); пи­ро­лиз или ка­та­ли­тич. пи­ро­лиз га­зо­об­раз­ных уг­ле­во­до­ро­дов [напр., СН₄→С (гра­фит, ал­маз, гра­фен, на­нот­руб­ки, аморф­ный уг­ле­род)]; взаи­мо­дей­ст­вие га­зо­об­раз­ных ве­ществ с под­лож­ка­ми – кон­такт­ное оса­ж­де­ние (напр., WF₆+Si→W). По­лу­ча­ют по­кры­тия из ме­тал­лов и спла­вов, крем­ния, разл. мо­ди­фи­ка­ций уг­ле­ро­да, гер­ма­ния, гид­ри­дов, кар­би­дов, си­ли­ци­дов, нит­ри­дов, ар­се­ни­дов, суль­фи­дов, ок­си­дов, се­ле­ни­дов, тел­лу­ри­дов, кар­бо­нит­ри­дов, ок­си­нит­ри­дов и др. ве­ществ. Про­цес­сы про­во­дят при обыч­ном или по­ни­жен­ном дав­ле­нии, при­ме­ня­ют тер­мич., плаз­мо­хи­мич., ла­зер­ную, ульт­ра­зву­ко­вую или фо­то­хи­мич. ак­ти­ва­цию.

На­не­се­ние ма­сок и при­ме­не­ние фо­то­ли­то­гра­фии в со­че­та­нии с трав­ле­ни­ем по­зво­ля­ют по­лу­чать фи­гур­ные по­кры­тия и мно­го­слой­ные струк­ту­ры на пло­ских под­лож­ках (см. Пла­нар­ная тех­но­ло­гия). В ря­де про­цес­сов ис­поль­зу­ют ци­лин­д­рич., ко­нич., ни­те­вид­ные или мик­ро­сфе­рич. под­лож­ки, а так­же те­ла слож­ной фор­мы. Из­ме­не­ние в хо­де оса­ж­де­ния кон­цен­тра­ций ис­ход­ных реа­ген­тов по­зво­ля­ет по­лу­чать по­кры­тия с из­ме­няе­мым по тол­щи­не со­ста­вом. Воз­мож­но по­лу­че­ние срав­ни­тель­но мас­сив­ных из­де­лий (напр., со­пел ра­кет), а так­же сверх­тон­ких по­кры­тий ме­то­дом атом­но-слое­вой эпи­так­сии. Про­цес­сы про­во­дят в ап­па­ра­тах с хо­лод­ны­ми или го­ря­чи­ми стен­ка­ми, с не­под­виж­ны­ми, вра­щаю­щи­ми­ся, пе­ре­ме­щае­мы­ми на кон­вей­ер­ной лен­те под­лож­ка­ми или в ре­ак­то­рах с псев­до­ожи­жен­ным сло­ем.

Тех­но­ло­гию при­ме­ня­ют для про­из-ва элек­трон­ных схем, мик­ро­элек­тро­ме­ха­нич. уст­ройств, све­то­из­лу­чаю­щих дио­дов, на­не­се­ния оп­тич., кор­ро­зи­он­но­стой­ких, жа­ро­стой­ких, ус­той­чи­вых к ис­ти­ра­нию, све­то­от­ра­жаю­щих, элек­тро­про­вод­ных, ди­элек­трич., ра­дио­за­щит­ных и по­рис­тых или на­но­по­ри­стых по­кры­тий.

Из­да­ёт­ся ж. «Chemical Vapor Deposi­tion».