ПРОБЛЕ́М ТЕХНОЛО́ГИИ МИКРОЭЛЕКТРО́НИКИ И ОСОБОЧИ́СТЫХ МАТЕРИА́ЛОВ ИНСТИТУ́Т

ПРОБЛЕ́М ТЕХНОЛО́ГИИ МИКРОЭЛЕК­ТРО́НИКИ И ОСОБОЧИ́СТЫХ МА­ТЕ­РИ­А́ЛОВ ИНСТИТУ́Т РАН (ИПТМ РАН), г. Чер­но­го­лов­ка. Соз­дан в 1983. Ста­нов­ле­ние и раз­ви­тие ИПТМ РАН свя­за­но с дея­тель­но­стью Ч. В. Ко­пец­ко­го, В. В. Ари­сто­ва, В. А. Ту­ли­на, В. Т. Пет­ра­шо­ва и др.

ИПТМ РАН раз­ви­ва­ет фун­дам. и пер­спек­тив­ные при­клад­ные ис­сле­до­ва­ния, раз­ра­ба­ты­ва­ет тех­но­ло­гич. про­цес­сы и на­уч.-тех­но­ло­гич. обо­ру­до­ва­ние для мик­ро- и на­но­элек­тро­ни­ки. Сре­ди ши­ро­ко­го спек­тра за­дач, ре­шае­мых в ин-те, мож­но вы­де­лить осн. на­прав­ле­ния дея­тель­но­сти: фи­зич. прин­ци­пы соз­да­ния эле­мент­ной ба­зы на­но­элек­тро­ни­ки, кван­то­вых ком­пь­ю­те­ров и дат­чи­ков фи­зич. ве­ли­чин на ос­но­ве ма­те­риа­лов с ме­тал­лич. про­во­ди­мо­стью, в т. ч. с по­ни­жен­ной раз­мер­но­стью; раз­ра­бот­ка фи­зич. ос­нов ма­те­риа­ло­ве­де­ния, тех­но­ло­гии и ди­аг­но­сти­ки уст­ройств мик­ро- и на­ноэлек­тро­ни­ки; изу­че­ние фи­зич. ос­нов и раз­ра­бот­ка тех­но­ло­гии фор­ми­ро­ва­ния при­бор­ных струк­тур мик­ро- и на­но­элек­тро­ни­ки с по­мо­щью атом­ных, ион­ных и мо­ле­ку­ляр­ных пуч­ков; ис­сле­до­ва­ние фи­зич. ос­нов и раз­ра­бот­ка тех­но­ло­гии эле­мент­ной ба­зы СВЧ-элек­тро­ни­ки.

В 1993 соз­дан ана­ли­ти­ко-сер­ти­фи­кац. центр ИПТМ РАН, раз­ра­ба­ты­ваю­щий но­вые ме­то­ды ана­ли­за вы­со­ко­чис­тых ве­ществ, объ­ек­тов ок­ру­жаю­щей сре­ды, тех­но­ло­гич. сред и ма­те­риа­лов, био­ло­гич. и пи­ще­вых про­дук­тов, ста­лей и спла­вов, по­лу- и сверх­про­вод­ни­ков слож­но­го со­ста­ва с ис­поль­зо­ва­ни­ем атом­но- и масс- спек­траль­ных, ядер­но-фи­зич. ме­то­дов ана­ли­за.