ВЫСОКОЧИ́СТЫЕ ВЕЩЕСТВА́
-
Рубрика: Химия
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ВЫСОКОЧИ́СТЫЕ ВЕЩЕСТВА́, индивидуальные простые или сложные вещества с предельно низким суммарным содержанием примесей. При рассмотрении чистоты веществ компонент, атомы или молекулы которого преобладают в исследуемом (используемом) образце, называют основным (основой). Если основа – химич. элемент в форме простого вещества, то примесями считаются атомы остальных химич. элементов, имеющиеся в земной коре. В веществе, состоящем из молекул, примесями являются молекулы всех др. веществ, отличающиеся от молекул основы числом, природой и взаиморасположением атомов. Содержание примеси количественно выражают в массовых, атомных или молярных процентах, как число частей примеси на заданное число частей основы (напр., одна часть на миллион, миллиард – 1·10–4, 1·10–7% соответственно), или как число атомов или молекул примеси в единице объёма (1 см3) основы. Различают степень чистоты по отд. примесям и по сумме всех примесей.
Сложившаяся классификация веществ по степени чистоты начинается с вещества технич. качества (содержание основы ок. 99%) и включает последовательно квалификации «чистый», «чистый для анализа», «химически чистый». Для каждой из них стандарты определяют допустимые набор и содержание примесей. Следующий уровень – «особо чистые вещества», в которых содержание отд. примесей или групп примесей существенно ниже, чем в чистых для анализа или химически чистых веществах. Количественная характеристика понятия «высокочистое вещество» подвижна во времени. Вещество считается (2005) высокочистым при содержании суммы примесей ок. 10–4 ат. %, а отд. примесей 10–6–10–7 ат. % и ниже.
Даже в самых чистых природных веществах (вода, горный хрусталь, алмаз) содержание примесей ок. 0,1–0,01%. Получение В. в., как правило, многостадийный процесс, в котором число и набор стадий определяются природой вещества, исходным содержанием в нём примесей, требуемой степенью чистоты. В. в. со сравнительно невысокими темп-рами плавления и кипения получают глубокой очисткой образцов технич. качества, используя дистилляционные, кристаллизационные, экстракционные, адсорбционные, химические и др. методы. В. в. с высокой темп-рой плавления получают выделением или синтезом из предварительно очищенных веществ.
В. в. присущи свойства, отсутствующие или слабо выраженные у этих же веществ, но с более высоким содержанием примесей. В общем виде для твёрдых веществ измеренное значение свойства Р можно представить суммой:$$Р=Р_0+Р_1+Р_2+Р_{11}+Р_{22}+Р_{12}$$,где $Р_0$ – значение свойства вещества, свободного от примесей и дефектов структуры; $Р_1, Р_2$ – вклад примесей и дефектов структуры соответственно; $Р_{11}, Р_{22}, Р_{12}$ – вклад от парных взаимодействий примесей и дефектов. При большом содержании примесей примесный вклад преобладает ($Р_1>Р_0$). Снижение содержания примеси может отчётливее выявить собственное свойство вещества ($Р_1≪Р_0$), что наблюдается на примере полупроводниковых свойств германия. При низком содержании примесей вклад от дефектов структуры может превышать примесный вклад ($Р≌ Р_0+ Р_2+ Р_{22}$). Интервал содержаний примеси, в котором реализуется промежуточная ситуация, представляет собой область примесной чувствительности данного свойства к данной примеси. Любая примесь прямо (через $Р_1, Р_{11}$) или опосредованно (через $Р_2, Р_{12}$) влияет на любое свойство вещества. В количественном плане это влияние избирательно. Вклад одной и той же примеси в разл. свойства вещества неодинаков. Действие разных примесей на конкретное свойство вещества различно и часто имеет пороговый характер. Примеси, влияние которых на свойство особенно велико, называют лимитируемыми. Так, лимитируемыми по отношению к электрофизич. свойствам кремния являются примеси бора, алюминия, галлия, фосфора, мышьяка, для пластичности тугоплавких металлов – примеси кислорода, углерода, азота, для лучевой прочности оптических сред – примесные гетерофазные включения субмикронных размеров. Для некоторых свойств установлена необычайно высокая примесная чувствительность. Электрофизич. параметры полупроводников, оптические свойства диэлектриков «чувствуют» отд. примеси на уровне 10–8–10–10 ат. %. В спектрах фототермич. ионизации высокочистого кремния и германия проявляются примеси (В, Аl, Ga) в количестве 109–1010 атомов/см3 (2·10–12–2·10–13 ат. %), а теоретически предсказываемый предел влияния – 105 атомов/см3 (10–16 ат. %).
Осн. области применения В. в. – создание материалов на их основе и науч. исследования. В науч. исследованиях необходимы вещества с содержанием примесей, не дающим заметного вклада в количественное значение изучаемого свойства. В материалах из В. в. реализуются уникальные свойства последних. Так, высокая прозрачность волокон из кварцевого стекла с содержанием лимитируемых примесей ниже 10–6–10–7% обеспечивает передачу световых импульсов на большие расстояния в совр. линиях волоконно-оптической связи. Из В. в. производят полупроводниковые и оптические материалы, материалы для микро- и оптоэлектроники, электронной техники, ядерных технологий, силовой оптики и электроники, волоконной оптики. Число материалов на основе высокочистых и особо чистых веществ превышает 2 тыс. наименований и имеет тенденцию к росту.